真空溅射镀膜技术演示幻灯片.pptVIP

5. 磁控溅射 电子 e 在电场 E 作用下，在飞向基板的过程 中与氩原子发生碰撞，使其电离出 Ar+ 和一个 新的电子 e ，电子飞向基片， Ar+ 在电场作用下 加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，是 靶材发生溅射。 磁场与电场正交， 并与阴极表面平行，通 过磁场束缚和延长电子 的运动轨迹来提高离化 率，减少电子与基板的 轰击，实现低温高速溅 射。 31 磁控溅射源主要有 三种： 1 ）柱状磁控溅射源： 适于制作大面积溅 射膜，在工业上应 用较广泛。 2 ）平面磁控溅射源： 圆形的可以制成小靶， 矩形的可以制成大靶。 其结构简单，造价低， 通用性强，应用最广。 3 ）溅射枪： 其结构较复杂，一般配行星式夹具使用。 特点：靶材利用率高；膜厚分部均匀；靶功率密度 大；易于更换靶材。 32 6. 对象靶溅射： 两个靶对象放置， 阳极放置在靶面垂直部 位，和磁场一起起到约 束等离子体的作用。电 子在向阳极运动过程中 受磁场的作用，两靶上 有较高负偏压，部分电子几乎沿直线运动， 到对面靶的阴极区被减速，然后又反方向加速 运动。 对象靶溅射具有溅射速率高，基板温度低， 可淀积磁性薄膜等优点。 33 7. 反应溅射 : 反应溅射中产生一股强大的又在能游离原子团组 成的离子流伴随作溅射出来的靶原子从阴极靶流向基 片，在基片上克服与薄膜生长有关的激活能且形成化 合物。 它是在氩气中加入适量活性