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第 1 章 半导体器件基础
教学目的: 了解半导体基础知识
教学重点: PN 结
教学难点: PN 结单向导电性
教学内容: 1.1 半导体基础知识
教学方法: 理论讲解与举例相结合,讲例题时边讲边练(学生先作,老师后讲) 。
教学进度: 本内容为 2 学时
参考资料: 模拟电子技术基础
教学内容
1.1 半导体及其特性
一、 半导体特点
半导体特点: 1、受光、热激发,导电性能↑↑
2 、掺杂质 导电性能↑↑
二、 本征半导体
1. 概念:纯净的、结构完整的半导体,叫本征半导体。它在物理结构上为
共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时 , 本征半导
体不导电。
2. 半导体的本征激发与复合现象 :
当导体处于热力学温度 0 K 时,导体中没有自由电子。 当温度升高或
受到光的照射时, 价电子能量增高, 有的价电子可以挣脱原子核的束缚而
参与导电,成为自由电子。这一现象称为本征激发(也称热激发)。因热
激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。
游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合。
在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡, 此时,载流子浓度一
定,且自由电子数和空穴数相等。
三、 杂质半导体
掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 杂质半导体是半导体器件的
基本材料。在本征半导体中掺入五价元素(如磷) ,就形成 N 型(电子型)
半导体; 掺入三价元素(如硼、镓、 铟等)就形成 P 型(空穴型)半导体。
杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关, 掺杂浓度越大、 温度越
1
高,其导电能力越强。
1. P 型半导体(空穴半导体 )
多数载流子是空穴
形成:在本征半导体中掺三价杂质
2. N 型半导体(电子型半导体)
多数载流子是电子
形成:在本征半导体中掺五价杂质
1.2 PN 结的形成及特性
一、 PN 结的形成
1、半导体中的载流子有两种有序运动:载流子在浓度差作用下的扩
散运动和电场作用下的漂移运动。 同一块半导体单晶上形成 P 型和 N型半
导体区域, 在这两个区域的交界处, 当多子扩散与少子漂移达到动态平衡
时,空间电荷区(亦称为耗尽层或势垒区)的宽度基本上稳定下来, PN
结就形成了。
2、PN结形成的物理过程
3、 扩散与飘移的平衡
扩散——载流子由浓度大→小运动(浓度差作用)
漂移——少子在内电场作用下的运动(内电场作用)
内电场的作用: 1)阻碍多子的扩散
2 )帮助少子的漂移
二、 PN 结的单向导电性
单向导电性在外加电压时显示出来
1、外加正向电压, PN结导通
2、外加反向电压, PN结截止
单向导电性 :PN结的正向电阻很小( PN结导通),反向电阻很大( PN结
截止)。
3、PN结的反向击穿
小结:本次课要求熟练掌握半导体的基本知识,正确理解 PN 结的形成及特性。掌
握 PN 结的单向导电性。
课后作业: 1.2 1.3
2
教学目的: 熟练掌握二极管、稳压管的外特性及主要参数,以及二极管基本电路及
其分析方法与应用。
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