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知识点名称
半导体器件物理(1)
第1章 pn结 知识点名称
1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离
三. 导致偏离的原因之二：势垒复合对pn结正向小电流的影响
1. 物理过程分析
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
按照理想模型，正偏情况下
电流为：I =I (X ) + I (-X )]
理想 P n n P
I (X )是从p区注入到n区的
P n
空穴电流，I (-X )是从n区注入
n P
到p区的电流。
正偏情况：V 0，势垒区实
a
际存在载流子的复合作用。
将X 处空穴电流和电子电流相加得到总的正向电流： I = I (X ) + I (X )
n 正 P n n n
而X 处的电子电流I (X )= I (-X ) + I 。
n n n n P Rec
得 I = I (X ) + [I (-X ) + I ]=[I (X ) + I (-X )] + I = I + I
正 P n n P Rec P n n P Rec 理想 Rec
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离
三. 导致偏离的原因之二：势垒复合对pn结正向小电流的影响
1. 物理过程分析
正偏情况下，正向电流I正等于理想模型正向电流I理想与势垒复合电流IRec
之和。
I正= I +I
理想 Rec
导致实际正向电流I正大于理想模型的正向电流I理想。
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离
三. 导致偏离的原因之二：势垒复合对pn结正向小电流的影响
2. 定量分析：
(1) 复合电流计算：
单位时间内势垒区中复合的载流子电荷形成复
合电流，记为IRec : I =eA R(x)dx
Rec
W
根据定积分几何意义，上式可表示为：I =eAR W
Rec max
式中： 为等效势垒区宽度
W
Rmax为势垒区复合率最大值
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名
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