42第2章11_207实际BJT电流放大系数讨论.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 1 D G 1 x2 E B B    DG  L2 十. 缓变基区BJT的电流放大系数 0 B E nB 6. 提高BJT电流放大系数的主要技术途径 (1) 减小基区宽度（最有效措施）； (2) 增加发射区掺杂浓度，减少基区掺杂浓度，提升发射区与基区 /G ”的比值； Gummel数“GE B (3) 增大基区杂质分布梯度，增强基区自建场的影响； (4) 加强工艺控制，减少工艺缺陷，在提高D 和τ 础上提高LnB 。 B B 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 1 D G 1 x2 E B B    DG  L2 0 B E nB 思考题：对同一个平面工艺BJT，为什么正向放大工作时电流放大系数(β0) F 比 反向放大时的(β0) R大得多？ 提示一：分析“发射结”两侧杂质浓度差别，比较两种状态下的“G /G ”大小； B E 提示二：分析两种工作状态下基区自建场对基区少子输运的不同影响； 提示三：平面工艺BJT中“发射结面积A ”与“收集结面积A ”不相等，两种 E C 工作状态下“集电区”收集来自“发射区”的载流子的充分程度不同。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 1 D G 1 x2 E B B