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知识点名称
半导体器件物理(1)
第2章 BJT直流放大特性 知识点名称
2-3 影响BJT直流β 的非理想因素
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三、BE势垒区复合与小电流下β 的下降
0
1. 正偏BE结势垒区复合电流(I )
R BE
按照正偏pn结势垒区复合电流的分析结果，对BJT，正偏BE结中存在的
R BE
势垒复合电流(I ) 为： eV
(I ) =I exp( BE )
R BE SE 2kT
enx
式中 I =A i BE 为描述BE结势垒复合作用的电流项。
SE
2
0
注意：少子寿命τ 越短，则势垒复合电流越大。
0
半导体器件物理(I)
第2章 BJT直流放大特性 知识点名称
2-3 影响BJT直流β 的非理想因素
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三、BE势垒区复合与小电流下β 的下降
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2. (I ) 对β 的影响
R BE 0
由于存在(I ) ，则流过BE结的总电流I =I +I + (I )
R BE E nE pE R BE
(I ) 只在B-E电极间流动。I 中只有I 为有效注入电流
R BE E nE
I I I I +I
= nE = nE =( nE )( nE pE )=( )
因此注入效率为： 0 0 理想
I I +I +(I ) I +I I +I +(I )
E nE pE R nE pE nE pE R
式中δ称为复合因子（Recombination Factor ）
显然δ1，因此势垒区复合导致注入效率下降，进而导致β 下降。
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半导体器件物理(I)
第2章 BJT直流放大特性 知识点名称
2-3 影响BJT直流β 的非理想因素
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