46第3章2_BE结势垒电容充放电时常数.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第3章 BJT频率特性 知识点名称 3-2 共基极α频率特性（f ）的定量分析 α je 二、BE结势垒电容C 对注入效率的影响 je 1. C 充放电电流的形成 交流情况下BE结电压为：V =V +v ejt be BE be 由于BE结电压随时间变化，BE结势垒区宽 度xde也会变化，导致势垒区中正负电荷随之变 化，表现为电容效应，称为BE结势垒电容Cje。 在交流信号作用下，必然对应有势垒电容的 充放电电流。 半导体器件物理(I) 第3章 BJT频率特性 知识点名称 例如，若t=0时结电压为VBE ，势垒区宽度为xde 1 BE be 到t=t 时，结电压增加为V +v ， 势垒区宽度将减小为xde1 半导体器件物理(I) 第3章 BJT频率特性 知识点名称 例如，若t=0时结电压为VBE ，势垒区宽度为xde 1 BE be 到t=t 时，结电压增加为V +v ， 势垒区宽度将减小为xde1 原来存在空间电荷的势垒区有一部分成为中性区 这是由于发射区向基区注入的电子有一部分填 补到势垒区在发射区的部分； 同时基区向发射区注入的空穴也必然有一部分 iCje iCje 填补到势垒区在基区的部分； 这就是BE结势垒电容的充放电电流iCje 。 注意：电流iCje只在基极-发射极之间流动。 半导体器件物理(I) 第3章 BJT频率特性 知识点名称 3-2 共基极α频率特性（f ）的定量分析 α 二、BE结势垒电容Cje对注入效率的影响 2. Cje充放电电流对注入效率的影响 如果不考虑iCje ，发射极电流中的交流分量组 成及其相互关系应与直流情况类似，为： ine i =i +i ， e ne pe ne e ne ne pe 则γ=i / i =i / (i +i )=γ0 交流注入效率就等于直流注入效率。 iCje iCje ipe 由于存在势垒充放电电流iCje e ne pe iCje