52第4章_1基区电阻.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 功率晶体管要求能够输出较大的功率，往往工作于大电流、高电 压状态，同时会产生较大的功耗。 本章介绍制约BJT工作电流的电流集边效应、BJT中特殊的击穿 问题、影响功耗的热阻、以及可能发生的二次击穿。 重点分析这些效应的物理机理以及解决问题的技术途径，最后总 结功率晶体管的安全工作区。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-1 基区串联电阻RB 一、基区串联电阻R 的组成特点 B 基区串联电阻R 对BJT特性特别是大电流特性有重大影响，在设计 B 晶体管时需要考虑如何减小R 。 B 为此应该分析了解平面工艺BJT中基区串联电阻的组成特点。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-1 基区串联电阻RB 版图 一、基区串联电阻R 的组成和特点 B 1. 平面工艺BJT中RB的组成 B R 的是BJT中对基极电流I 呈现的电阻。 B 以最小尺寸BJT为例说明R 的组成。 B 基极电流流过很窄的基区，基区电阻 剖面图 RB通常较大。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-1 基区串联电阻RB 一、基区串联电阻R 的组成和特点 B 1. 平面工艺BJT中R 的组成 B 包括三个区域的电阻： RB1 ：在发射区下方，称为有源 基区（或者内基区）电阻。 RB2 ：称为无源基区（或者外基 区）电阻。 ) ：基极引出端处的金属-半导体接触电阻。 (Rcon B 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-1 基区串联电阻RB 一、基区串联电阻R 的组成和特点 B 2. 平面工艺BJT中R 的特点 B 与电流IB流动方向相垂直的截面 积较小，导致R 较大； B 特别是由于基区很窄，即基区宽 度x 很小，因此R 中R 数值最大， b B B1 影响也最明显。 IB流动方向不同截面的电流不相等，因此不能采用R=ρl/A计算电阻。 如果