53第4章_2发射极电流集边效应.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-2 功率BJT的交叉梳状版图设计 一、基区自偏压效应 1. 考 RB的响的BE结等效电路 发射结可以等效为多个pn结的并联。 图示为四个pn结并联实例。 发射区重掺杂，可视为等电位，因 此并联的多个pn结n区连在一起。 由于RB1 的影响，并联的多个pn结p 区之间存在电阻。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-2 功率BJT的交叉梳状版图设计 一、基区自偏压效应 2. 基区自偏压效应 [BE结两端电压(V ) =外加电压 be a B (V ) -R 上压降] 外加电压。 be app 发射区重掺杂，可视为等电位。 由于RB1上压降的影响 →BE结B区一侧不是等电位 →BE结不同位置处电压(V ) 不相等。 be a 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 A处：(V ) =(V ) -[(R ) +R )]上压降 be aA be app Con B B2 B处：(V ) =(V ) -(R ) 上压降 be aB be aA B1 A C处：(V ) =(V ) - (R ) 上压降 be aC be aB B1 B D处：(V ) =(V ) - (R ) 上压降 be aD be aC B1 C 结论：(V ) (V ) (V ) (V ) (V ) be aD be aC be aB be aA be app 由于R 上压降的影响，不但结上电压小于 B (V ) ，而且结面上不同位置处结电压不同。 be app 距基极条越远，结电压(V ) 越小。 be a 这一现象称为基区自偏压效应。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-2 功率BJT的交叉梳状版图设计 二、发射极电流集边效应 1. 发射极电流集边效应 由于基区自偏压效应，距基极条越远，结电压(V ) 越小。 be a 发射结电流密度与结电压呈指数关系，因此，发射结面上距基极条越远， 发射结电流密度越小。 对双基极条结构，发射结面上