56第4章_5基区穿通.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 三、基区穿通 1. 基区穿通现象 与基区宽变效应物理过程类似，只是程度不同。 反偏VCB增大 →导致CB结势垒宽度增大 →则基区宽度xB减小 若V 增大到尚未发生C-B结击穿，但是使得基区宽度x →0 CB B 这一现象称为基区穿通（Base punch-through）。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 三、基区穿通 1. 基区穿通现象 可以从发生穿通时BJT能带图的变化说明基区穿通的影响。 如果从基区少子扩散电流的计算关系可以直观理解基区穿通的后果。 若接近基区穿通程度，导致基区宽度x →0，则 B dn (x) n (x) B B x=0  急剧增大 dx x B 导致InC急剧增大 →集电极电流IC随之急剧增大 表现为“击穿”，BJT将不能正常工作。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 三、基区穿通 2. 基区穿通电压VPT 使得基区宽度x →0的V 称为穿通电压， B CB 记为VPT 如果不考虑正偏BE结势垒区在基区一侧的宽度，若VCB= VPT ，则CB势垒 区宽度 )在基区一侧的宽度(x ) 等于基区宽度 xdc dc B xB0 B0 jc je B0= jc je 为基区掺杂结深 与发射区掺杂结深 之差：x x -x x x x 由此可以计算VPT 的值。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 例：均匀掺杂基区BJT的VPT 根据突 pn结势垒区宽度计算公式 dc B B0 若VCB= VPT ，则(x ) =x 代入上式，有 解得（忽略Vbi ）： 例如：若 16 3 ， 15 3，x =0.4m 计算得V =52V