66第5章6_提高开关速度的途径.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-3 BJT的开关参数 三、提高开关速度的主要技术途径 1. 减小基区宽度 可以减小导通状态下基区积累的电荷，特别 是减小过饱和的少子电荷总数QBX ，进而减小存 储时间。 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-3 BJT的开关参数 三、提高开关速度的主要技术途径 ２. 减小少子寿命 其作用是加速基区积累少子的消失过程 这一要求与提高电流放大系数的要求矛盾。 因此放大用BJT与开关用BJT的加工工艺要 求存在差别。 开关用BJT的工艺专门采用掺金工艺； 而放大用BJT工艺中需要采取措施防止金等 重金属原子进入器件。 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-3 BJT的开关参数 三、提高开关速度的主要技术途径 3. 减小结电容： 作用：减小势垒电容充放电时间。 应尽量减小两个结的面积A 和A 。 E C 这一要求与提高频率特性要求一致。 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-3 BJT的开关参数 三、提高开关速度的主要技术途径 4. 采用肖特基嵌位晶体管结构 (1) 肖特基嵌位晶体管的结构 通常储存时间t 是影响晶体管开关速度最主要的因素。 s 存在大量的QBX是导致t 较长的原因。 s 若在晶体管BC结并联一个肖特基二极管， 则可以较好地解决这个问题。 这种结构器件又称为肖特基嵌位晶体管。 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-3 BJT的开关参数 三、提高开关速度的主要技术途径 4. 采用肖特基嵌位晶体管结构 (2) 作用原理 预备知识： 肖特基二极管构成：金属与轻掺杂半导体接 触将成为肖特基二极管接触，而不是欧姆接触。 Al-Si 肖特基二极管特点：正向导通电压只有 0.3V左右，而Si-pn结的正向导通电压约0.7V。 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-3 BJT的开关参数 三、提高开关速度的主要技术途径 4. 采用肖特基嵌位晶体管结构 (2) 作用原理 晶体管断开时，BC结反偏，肖特基二极管也就处于反向偏置，电流很 小，对BJT不起作用。