60第4章_9BJT二次击穿与安全工作区.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区 二、BJT二次击穿（Secondary Breakdown ） 1. 二次击穿现象 IC 反偏VCE增大达到接近BVCE →I 急剧增大 C I 达到A点值(记为I )时，伴随着I 的 C SB C 增大，VCE却在微秒-毫秒时间内突然减小 A(ISB,VSB) 很多，出现“负阻”。 此现象称为“二次击穿”。 相应电压称为二次击穿电压，记为VSB 。 BVCEO VCE 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区 二、BJT二次击穿（Secondary Breakdown ） 1. 二次击穿现象 IC 若工作电流IB不同，则VSB也不同， 即V =V (I ) 。 SB SB B B(ISB,VSB) IB越大，VSB越小。 A(ISB,VSB) BVCEO VCE 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区 二、BJT二次击穿（Secondary Breakdown ） 2. 二次击穿限 IC 将发生二次击穿的转折点A、B、 连在一起，就构成了又一条限制VCE和IC B(ISB,VSB) 取值的界限，称为二次击穿限。 实际工作电压V 应小于V (I ) 。 CE SB C A(ISB,VSB) BVCEO VCE 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区 二、BJT二次击穿（Secondary Breakdown ） 3. 二次击穿机理