62第5章2_两种稳定状态下的基区少子分布.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-1 BJT的开关作用 四、稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布 1. 稳定“关断”状态下基区少子分布: 两个结均处于反偏，少子边界浓度趋于0 nB0 说明：虽然基区平衡少子浓度 很小，为了描述 nB0 少子分布形态，图中突出显示了 值。 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-1 BJT的开关作用 四、稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布 2. 临界放大状态下的基区少子分布: BE结正偏，BC结0偏 由于基区很薄，基区少子分布近似为斜直线。 记基区少子电荷为QBS 。 n (x )=n 。 说明：BC结0偏， B B B0 由于实际 很小，图中忽略了 。 nB0 nB0 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-1 BJT的开关作用 四、稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布 3. 稳定“导通”状态下基区少子分布: (1) 少子分布（简便分析方法的应用） I 与少子分布斜直线的斜率成正比，I 与斜直线 C B 下方面积成正比。 稳定“导通”状态下，器件处于饱和状态，基 极电流IB大于临界驱动电流IBS，因此基区少子分 布nB(x) 曲线下方面积比临界放大状态大得多。 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-1 BJT的开关作用 四、稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布 3. 稳定“导通”状态下基区少子分布: (1) 少子分布（简便分析方法的应用） 与临界放大状态相比，I 基本不变，则少子分布 C B n (x) 曲线斜率与临界放大状态相比基本相同。 饱和状态n (x)分布必然是临界放大状态下n (x) B B 分布斜直线的平行上移。 半导体器件物理(I) 第5章 BJT开关特性 知识点名称 5-1 BJT的开关作用 四、稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布 3. 稳定“导通”状态下基区少子分布: (2) 导通状态的偏置特点 饱和状态下，基区靠BC结势垒区边界处的少子 浓度明显大于平衡值，说明BC结已处于正偏。 半导体器件物理(I)