57第4章_6外延结构BJT.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 四、外延层穿通 1. 外延结构晶体管 (1) 早期晶体管存在的频率-功率特性矛盾 早期的平面晶体管中，衬底材料同时起集电区 的作用。为了保证晶圆的强度，在工艺加工过程 中不易破碎，衬底厚300μm左右，而BJT核心部 分只在表面几μm范围。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 四、外延层穿通 1. 外延结构晶体管 (1) 早期晶体管存在的频率-功率特性矛盾 要增大BJT输出功率，则电源电压较高，要求 BJT具有较高的击穿电压，这就要求提高ρ 。 c 由于采用低掺杂的衬底材料，则集电区串联电阻 RC偏大，导致特征频率f 必然较低。 T 因此早期大功率晶体管只能工作于较低频率。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 四、外延层穿通 1. 外延结构晶体管 (1) 早期晶体管存在的频率-功率特性矛盾 为了提高BJT的f ，要求减小集电区串联电阻R ， T C 为此要求降低集电区材料的电阻度ρc ，则BC结击穿 电压必然偏低。 因此早期高频晶体管的输出功率均较低。 很难实现同时具有高频、大功率性能的BJT。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 四、外延层穿通 1. 外延结构晶体管 (2) 外延晶体管结构 如果采用低电阻率材料衬底，在衬底上采用外延 技术生长一层电阻率较高的薄外延层，然后在外延 层上制作晶体管，这就称为外延晶体管结构。 早期晶体管结构为 而外延晶体管结构为 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 四、外延层穿通 1. 外延结构晶体管 (3) 外延结构晶体管的优点 高阻外延层作为集电区使得集电区掺杂浓度NC较 低，满足了对功率晶体管高击穿电压的要求； C 低电阻率的衬底则使得集电区掺杂浓度N 较高， 降低了集电区串联电阻RC ，满足了高频晶体管提高 特征频率的要求。 半导体器件物