59第4章_8BJT热阻与最大功耗.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区 功率BJT即使工作电流未超过发射极条长允许的最大电流值、同时工 作电压也未超过击穿电压BVCEO ，但是如果功耗过大或者发生二次击穿， 也会导致器件的烧坏。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区 一、BJT热阻与最大功耗 1. BJT功耗与结温 (1) BJT器件功耗 包括：EB结上功耗IEVBE 串联电阻R 、R 、R 上功耗 E B C BC结上功耗ICVCB 由于串联电阻R 很小，流过R 上的电流I 很小，R 上压降远小于V E B B C CB 因此BJT主要功耗为结上功耗：P ≈I V +I V ≈I V C C CB E BE C CE 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区 一、BJT热阻与最大功耗 1. BJT功耗与结温 (2) BJT器件结温 结上产生的功耗P 将导致结温T 上升 C j →结与环境之间存在温差，产生热的传导 传递的热流P 正比于结温与环境温度之差(T -T )： Td j amb (T T ) P  j amb Td  j amb  式中：jamb 称为热阻，反映了热传递的难易程度。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-4 BJT最大功耗、二次击穿与安全工作区 一、BJT热阻与最大功耗 1. BJT功耗与结温 (3)稳定结温Tj 稳定时，结温T 达到稳定值保持不变，使得功耗P 通过热流全部散发，即 j C (T T ) j amb