55第4章_4CE击穿电压.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 一、双极晶体管的击穿电压特点 1. BJT的单结击穿电BVEBO和BVCBO （复习） (1) pn结击穿电压主要取决于轻掺杂一侧掺杂浓度 BJT中CB结击穿电压BVCBO 明显高于EB结击穿电压BVEBO 。 (2) 由于EB结通常工作于正偏状态，因此BVEBO较低影响并不大。 (3) CB结击穿电压主要取决于轻掺杂一侧，即集电区的掺杂浓度。 击穿之前倍增阶段的倍增因子M可表示为：M= 1 1-(V /BV )n 对Si材料，n为2~4 CB CBO 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 一、双极晶体管的击穿电压特点 1. BJT的特殊“击穿”问题 (1) 共射极连接、输入端基极开路情况下的C-E击穿电压BVCEO ； (2) 基区穿通（Base punch-through) ； (3) 作为集电区的外延层出现“外延层穿通”。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 二、BJT的特殊击穿电压BVCEO 1. 共射极连接C-E击穿时偏置特点 (1) BVCEO 击穿现象 共射极连接情况下，如果输入端基 极开路 (Open)，在VCE作用下，流过 BJT的电流为较小的ICEO ，基本不变。 当VCE增大到一定值时，ICEO突然急剧增大，趋于无穷大，表现为“击穿”。 这时的VCE称为CE击穿电压，记为BVCEO 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 二、BJT的特殊击穿电压BVCEO 1. 共射极连接C-E击穿时偏置特点 (2) C-E击穿时偏置特点 在共射极连接并且输入端基极开路 的情况下，VCE跨接于CB结和BE结两 端，使得CB结反偏，而BE结正偏。 尽管输入端基极开路，但是BJT实际上处于正向放大状态 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-3 BJT 的击穿电压与外延层参数的确定 二、BJT的特殊击穿电压BVCEO BJT处于正向放大状态，因此有：I 0 2. 击穿条件 = α I +I