54第4章_3功率BJT交叉梳状版图设计.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-2 功率BJT的交叉梳状版图设计 三、(功率)晶体管发射区版图设计 1. 发射区图形的设计考虑 (1) 发射区图形的形状选择 由于存在电流集边效应，为了满足IE较大的要求，同时防止出现大注入 效应，发射区边缘长度应足够长 为了保证频率特性，AE应尽量小 因此发射区图形的周长面积比应尽量大。 长条形发射区图形是较好的选择，广泛由于功率BJT版图设计中。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-2 功率BJT的交叉梳状版图设计 三、(功率)晶体管发射区版图设计 1. 发射区图形的设计考虑 (2) 发射区条状图形尺寸的确定原则 (a) 条状发射区AE尽量小 → 要求条宽尽量窄 → 取决于光刻工艺水平 (b) 为了保证较大的工作电流IE ，同时防止出现大注入效应，应保证发 射极条有足够的长度 →需要确定单位条长允许的电流I 0 (c) 应考虑单根发射极条的条长是否受到一定条件的制约。 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-2 功率BJT的交叉梳状版图设计 三、(功率)晶体管发射区版图设计 2.单位发射区条长允许的最大电流(工程实用数据) (1) 线性放大应用：I0≤0.012~0.04mA/μm (2) 功率放大应用：I0≤0.04~0.08mA/μm （f 400MHz ） I ≤0.08~0.16mA/μm （f 400MHz ） 0 (3) 开关应用： I ≤0.16~0.4mA/μm 。 0 说明：I0值越小，越不容易出现大注入，晶体管特性越好。 但是对一定的I 要求，需要的发射极条越长，芯片面积越大。 E 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-2 功率BJT的交叉梳状版图设计 三、(功率)晶体管发射区版图设计 3.发射极条长的确定 对给定的偏置电流I 要求，选择合适的I ，则要求的发射极总条长L 为： E 0 E L  I /I E E 0 思考题：如果计算得到的值较大，采用一根很长的发射极条合适吗？ 半导体器件物理(I) 第4章 BJT功率特性 知识点名称 4-2 功率BJT的交叉梳状版图设计 三、(功率)晶体