44第2章13_302基区宽变效应与带隙变窄效应.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-3 影响BJT直流β 的非理想因素 0 四、基区宽变效应与厄利电压：β 与V 关系的分析 0 CE 1. 基区宽度调制效应（Base width modulation ） 共射极连接BJT，VCE = VCB + VB E，因此，VCB = VCE -VBE 正向放大偏置下，BE结正偏，VBE ≈0.7V ，VCB随着VCE增大而增大 VCE0→VCB0→CB结反偏。 VCE增大→VCB增大→CB结势垒宽度增大 →基区宽度xB减小。 称为基区宽度调制效应(基区宽变效应) 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-3 影响BJT直流β 的非理想因素 0 四、基区宽变效应与厄利电压：β 与V 关系的分析 0 CE 2. 基区宽变效应对β 的影响 0 x 减小导致基区输运系数α 增加 B T0 B x 减小使得基区Gummel数G 减小，导致注入效率γ 增加 B 0 使得β 随着V 的增加而增加。 0 CE 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-3 影响BJT直流β 的非理想因素 0 四、基区宽变效应与厄利电压：β 与V 关系的分析 0 CE 3. β 与V 关系的定量表征 0 CE (1) 厄利电压VA （Early voltage） 在考虑基区宽变效应的IC~VCE 特性曲线上，将不同I 对应的特 B 性曲线上反向延长，与水平轴基 本交于一点。 交点与原点距离记为VA 。 称为厄利电压。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-3 影响BJT直流β 的非理想因素 0 四、基区宽变效应与厄利电压：β 与V 关系的分析 0 CE 3. β 与V 关系的定量表征 0