大学物理实验用霍尔法测直流线圆圈与亥姆霍兹线圈磁场.pdfVIP

大学物理实验指导书 用霍尔法测直流线圆圈与亥姆霍兹线圈磁场 1879 年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究载流导体在磁场中受力性质时发现了一种 电磁现象，此现象称为 “霍尔效应”。半个多世纪以后，人们发现半导体也有霍尔效应，而 且比导体强得多。随着半导体物理学的迅猛发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导 体材料的主要方法之一。由高电子迁移率的半导体制成的霍尔传感器已广泛用于磁场测量。 近些年霍尔效应实验不断有新发现。1980 德国的冯 ·克利青、多尔达和派波尔发现了量子 霍尔效应，它不仅可作为一种新型的二维电阻标准，还可改进一些基本常量的测量精度，是 当代凝集态物理学和磁学中最惊异的进展之一。克利青教授也应此项发现荣获 1985 年的诺 贝尔物理学奖金。目前霍尔传感器典型的应用有：磁感应强度测量仪（又称“特斯拉计”）， 霍尔位置检测器，无触点开关；霍尔转速测定仪，电功率测量仪等。 在工业、国防、科研中都需要对磁场进行测量，测量磁场的方法有不少，如冲击电流计 法、霍耳效应法、核磁共振法、天平法、电磁感法等等，本实验介绍“霍尔效应法测磁场的 方法，它具有测量原理简单，测量方法简便及测试灵敏度较高等优点。 【实验目的】 1. 了解用霍尔效应法测量磁场的原理，掌握FB5 11 型磁场实验仪的使刚方法。 2. 了解载流圆线圈的径向磁场分布情况。 3. 测量载流圆线圈和亥姆霍兹线圈的轴线上的磁场分布。 4. 两平行线圈的间距改变为 d=R ／2 和 d=2R 时，测定其轴线上的磁场分布。 【实验原理】 1．载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场 (1)载流圆线圈磁场 一半径通以直流电流 I 的圆线圈，其轴线上磁场强度的表达式为：  0  N 0  I  R 2 B  　　　　　　　　　　（1） 2  (R 2  X 2 )3 / 2 7 式中N 0 为圆线圈的匝数，x 为轴上某一点到圆心O 的距离， 0  4  10 H ／m，磁 场分布图如图 1 所示。 图　1　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图　2 本实验取N 0 ＝400 匝，I＝0．400A，R＝0.100m,圆心O 处X＝0，可算得磁感应强度为： 1 大学物理实验指导书 B=1．0053×103 T。 (2)亥姆霍兹线圈 两个相同圆线圈彼此平行且共轴，通以同方向电流 I，理论计算证明：线圈间距等于线 圈半径R 时，两线圈合磁场在轴上(两线圈圆心连线)附近较人范围内是均匀的，这样的一对 线圈称为亥姆霍兹线圈，如图 2 所示。这种均匀磁场在科学实验中应用十分广泛，例如，显 像管中的行、场偏转线圈就是根据实际情况经过适当变形的亥姆霍兹线圈。 2．用霍尔效应测磁场的原理 霍尔元件的作用如图 3 所示．若电流 I 流过厚度为 d 的半导体薄片，且磁场B 垂直作用 于该半导体，则电子流方向由于洛伦兹力作用而发生改变，该现象称为霍尔效应，在薄片两 个横向面 a、b 之间与电流 I，磁场垂直方向产生的电势差称为霍尔电势。 霍尔电势差是这样产生的：当电流，I H 通过霍尔元件 (假设为 P 型)时，空穴有一定的 漂移速度 v，垂直磁场对运动电荷产生一个洛伦兹力 FB  q  (v  B) 　　　　 　 (2) 式中 g 为电子电荷，洛仑兹力使电荷产生横向的偏转，由于样品有边界，所 以偏转的 载流子将在边界积累起来，产生—个横向电场 E，直到电场对载流子的作用力FE