12第1章12_305单向导电性物理解释.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-3 理想pn结直流伏安特性 五、pn结单向导电性的物理解释 1. 平衡条件下pn结电流为0 (1) 物理过程分析 在平衡情况下，载流子 的扩散作用与漂移作用相平 衡，不存在载流子净流动， 净电流为零。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-3 理想pn结直流伏安特性 五、pn结单向导电性的物理解释 1. 平衡条件下pn结电流为0 (2) 从能带图理解平衡条件下pn结电流为0 复习：能带图描述的n0和p0 半导体器件物理(I) n型半导体 p型半导体 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 从pn结能带图理解平衡条件下电流为0 （以电子的流动为例） 单个p-Si和n-Si能带图上的n0 平衡pn结能带图上的n0 虽然n区导带电子浓度远高于p区，但是由于存在内建电势，使得n区中导带电 子能量并不比p区导带电子能量高, 因此不能形成电子净流动，电流就为0。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 eV 1-3 理想pn结直流伏安特性 = [exp( a )-1] I I S kT 五、pn结单向导电性的物理解释 2. 正偏pn结电流的解释 (1) 正偏电流形成过程的物理解释 p区向n区注入的空穴电流 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 正偏，V 0 ，结上电压（V -V ） V a bi a bi →势垒区电场↓ →漂移作用↓，而扩散作用不变 →出现p区多子空穴向n区的净扩散流 称为“注入（Injection ）” →注入到n区的空穴首先在n区势垒区界处(x=x )积累，使得p (x )p n n n n0 → x=x 处积累的空穴继续向n区内部扩散运动形成从p区向n区的电流。 n x= x 处空穴电流I (x )就是从p区注入到n区的少子空穴扩散电流 n p n