IZO透明导电氧化物薄膜的研究资料.ppt

IZO 透明导电氧化物材料 的研究 2 4 3 1 3 报 告 内 容 研 究 意 义 实 验 方 法 实 验 成 果 课 题 总 结 目前，透明导电二元氧化物 IZO 薄膜 作为 ITO 的替代物，正得到越来越广泛 的关注。 透明导电 IZO 薄膜 透明导电 IZO 薄膜 ? 组分可调： 多重物理化学特性。 ? 低温制备： 塑性好，高迁移率。 ? 功函数高： 可用于 OLED 。 与 ITO 相比： ? 功函数高，用于 OLED IZO 能够减小阳极空穴势垒，提高空穴注入效率 5.0 eV 4.7 eV 透明导电 IZO 薄膜 Han-Ki Kim ， Surface Coatings Technology 203 (2008) 652 – 656 透明导电 IZO 薄膜 IZO 为阳极的 OLED 开启电压低，发光亮度高 2 4 3 1 3 报 告 内 容 研 究 意 义 实 验 方 法 实 验 成 果 课 题 总 结 国际上关于 IZO 薄膜的研究 ? 磁控溅射 ? 脉冲激光沉积（ PLD ） ? 化学气相沉积（ CVD ） ? 溶胶 — 凝胶沉积 ? 喷雾热分解 高 能 电 子 束 瞬 间 烧 蚀 粒子能量大 化学计量比一致 脉冲等离子体镀膜设备原理图 全新的制备方法：脉冲等离子体沉积法（ PPD ） 创新点 PPD 的特点 制备方法 PPD PLD CVD Sputtering 成分与靶材一致性 好 好 差 化学度纯 好 差 好 沉积速率可变性 差 差 好 靶材可变性 差 很差 好 好 好 好 好 2 4 3 1 3 报 告 内 容 研 究 意 义 实 验 方 法 实 验 成 果 课 题 总 结 按成分配比 In 2 O 3 :ZnO 将粉末混均匀 干压成形 大气氛围 温度： 1000 ℃ 时间： 10 h 普通研钵 粉末压片机 管式电阻炉 IZO 靶材的制备 20 30 40 50 60 70 6 2 2 4 4 0 4 0 0 2 1 1 In 2 O 3 :ZnO（1:5） （60 wt.% ZnO） JCPDS#800075 ZnO JCPDS#060416 In 2 O 3 In 2 O 3 :ZnO（1:3） （47 wt.% ZnO） 强 度 ( a r b . u n i t s . ) 2 θ (degree) 10 wt.% ZnO 2 2 2 成分比为国际上主流的三种 IZO ：富 In ， In-Zn 相当，富 Zn IZO 靶材的结构 PPD 制备 IZO 薄膜 (In 2 O 3 :ZnO=1:3) PPD 制备 IZO 薄膜的工艺条件 工作气体 O 2 工作压强 2.2 Pa 基板温度 室温 ~350 ℃ 工作电压 -19 kV 工作电流 3.0 mA 脉冲频率 2.0 Hz 沉积时间 60 min. IZO 薄膜 (In 2 O 3 :ZnO=1:3) 的光电性能 50 100 150 200 250 300 0 10 20 30 40 50 60 电 阻 率 ( 1 0 - 3 Ω c m ) 温 度 ( ℃ ) 电阻率： 1.63 × 10 -3 Ω·cm 可见光区平均透射率： 80% 波 长 (nm) 透 射 率 （ % ） IZO 薄膜 电阻率 （ Ω · cm ） 可见光 透射率 载流子 浓度 （ cm -3 ） 迁移率 （ cm 2 /V · s ） 温度 （℃） 制备 方法 年份 In 2 Zn 3 O 6 1.00 × 10 -3 80-85% 4.00 × 10 20 20.0 500 PLD 1999 In 2 Zn 3 O 6 6.67 × 10 -4 90% 3.40 × 10 20 27.0 500 PLD 2000 In 2 Zn 3 O 6 1.63 × 10 -3 86% 1.47 × 10 20 26.1 350 PPD 2010 与国际研究水平对比 电学性能不理想，转为研究富 In 含量的 IZO 薄膜（ 10 wt.% ZnO ） PPD 制备 IZO 薄膜 (10 wt.%) PPD 制备 IZO 薄膜的工艺条件 工作气体 O 2 工作压强 2.2 ~ 3.2 Pa 基板温度 室温 工作电压 -19 kV 工作电流 3.0 mA 脉冲频率 ~ 2.0 Hz 沉积时间 20~60 min. 20 30 40 50 60 70 RT 100 ℃ 200 ℃ 300 ℃ 4 0 0 强 度 ( a r b . u n i t s . ) 2 θ (degree) 2 2 2 400 ℃ IZO （ 10 wt.% ）薄膜结晶性随温度变化关系 不同衬底温度下沉积的 IZO