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Nand Flash 文件系统解决方案 一. Nand Flash 结构及特性 NAND Flash 的结构如图1 所示： 图1 NAND Flash 结构 NAND Flash 由块 （block ）组成，每块又由若干页 （page ）组成，每页由数据区和冗余区 （spare area ）组成。页是数据写入的基础单元，块是擦除的基础单元。 在对NAND Flash 进行写操作（页编程）时，只能把相应的位由“1”写为“0 ”，只有对块进行擦 除操作时，才能把该块内所有位由“0 ”写为“1”。因此，在写入数据时，如果该页内已存有数据， 必须先擦除该块。 SLC （Single-Level Cell ）小容量的NAND Flash 页一般为（512+16 ）Bytes （数据区512Bytes，冗余 区16Bytes），大容量的NAND Flash 页为（2048+64 ）Bytes 。 为降低Flash 的制造成本，半导体制造商先后推出了MLC （Multi-Level Cell ）和TLC （Trinary- Level Cell ）技术，即在一个Flash 存储单元内存储更多的位信息，其原理如图2 所示