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(这是一个混合积分电路网络的的高倍放大图)
本章目录
前言
§41晶体的结构和结合(补充)
§4.2固体的能带(书44节)
§33导体和绝缘体(书44节)国
§44半导体的导电机构(书4.5节)m
§45p-n结(书4.6节)
△§46半导体器件(书47节)
§47半导体激光器(补充)
前言
固体物理既是一门综合性的理论学科又和
实际应用紧密结合(材料、激光、半导体)
▲固体物理是信息技术的物理基础
1928-29建立能带理论并由实验证实
1947.12发明晶体管
1962制成集成电路
1971 intel4004微处理器芯片2300晶体管
1982
80286
134万
1989
80486
120万
1993
pentium
320万
1995
pentium MMX
550万
1997
pentium
750万
集成度每10年增加1000倍!
现在在一个面积比邮票还小的芯片上可以集
成一个系统,其上可以集成10%个元件,沟道长
度只有0.12微米(深亚微米)
集成度的每一步提高,都和表面物理及光刻
的研究分不开。
没有晶体管、超大规模集成电路,就没有计
算机的普遍应用和今天的信息处理技术。
▲固体物理是新材料技术的物理基础
●晶格理论→晶体的力学性质、热学性质、
量子阱、超晶格理论→新型器件
●能带理论是固体理论和应用的基础
“能隙工程”人工改变材料能隙去适应器件需要
去创造特殊能带结构的材料。
●量子尺度效应的研究→纳米材料
新材料的理论设计:原子→原子团→固体材料,
人们可以通过控制电子波函数来制作器件,
正所谓:“自己来实践量子力学
§4.1晶体的结构和结合(补充)
一.晶体和非晶体的比较
晶体
非晶体
结构ε规则排列的对称性无一定规则排列
宏观性质:多为各向异性
各向同性
熔点:
确定
逐渐软化
二.晶体的结构
晶体中原子规则排列形成晶格一具有周期性
点阵
初基晶胞一晶格的最小单元
ab,c-晶格常数
a点阵间满足关系
r′=r+nla+n2b+n3c
晶格有多种类型:
▲简单立方晶格a=b=cg
▲面心立方晶格Au,Ag,
u
▲体心立方晶格
a
e
CscI
▲六角密排晶格
Be, Mg, Zn,Cd..
组成晶格的原子(团)在平衡点附近作热运动
(晶格振动)产生格波,声子E=(n+1/2)h
三.晶体的结合和类型
▲离子晶体( Ionic Crystal)
正负离子交替排列形成离子键,如NaC晶体
离子间静电力强→熔点高,硬度好
无自由电子→导热导电性差
▲共价晶体( Covalent crystal)
如:Si,Ge,金钢石
●强度高,坚硬,
不易变形
共价键
●传热导电性不好
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