蚀刻详解[共15页].docVIP

蚀刻详解一、名词定义均匀性（Uniformity）-- 相对平均值的变化，常在描述蚀刻速率，CD和淀积物厚度时使用。有以下几种百分数表示的数学定义： d8 U7 K. u! l# B1 y S( X平均均匀性=[(Max-Min)÷ (2×AVG)]× 100%中值均匀性=[(Max-min)÷(Max＋Min)]×100%3sigma均匀性=(3×STD)÷AVG×100%选择比 (Selectivity) – 不同材料蚀刻速率的比值。中止层 (Stopping layer) – 停止层，通常通过终点控制。$ Y* k$ P; J0 _ {2 i3 R( b$ [剖面形貌 (Profile) – 器件结构横截面的形状和倾斜度。条宽损失 (Etch bias)过蚀刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蚀刻掉以后的额外蚀刻。补偿蚀刻速率和膜厚的不均匀性。残留物 (Residues) – 在蚀刻和平版印刷过程中无意留下的物质。微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜掺杂以及残留物产生的无意留下的掩膜。糊胶（Resist reticulation）-- 温度超过150摄氏度时光刻胶产生的燃烧和折皱。纵横比（Aspect ratio）-- 器件结构横截面深度和宽度的比率。5 ? B$ p, c; I- O( V( N5 u, L, Y负载（Loading）-- 蚀刻速率依赖于可蚀刻表面数量，可在宏观或微观尺寸下。纵横比决定蚀刻（Aspect Ratio Dependent Etching/ARDE）--蚀刻速率决定于纵横比。终点（Endpoint）-- 在一个蚀刻过程中，平均膜厚被蚀刻干净时的时间点。; e O E6 W( h m- J. _0 b光刻胶（Photo-resist）-- 作为掩膜用来图形转移的光敏材料。! L: J4 @8 w( u l分辨率（Resolution）-- 用于测试光学系统把相邻的目标形成分离图像的能力。, l$ {( ?) {8 ` y V焦深 (Depth of focus) – 在焦平面上目标能形成影像的纵向距。+ }8 g, J8 ^: M+ ]: g2 _关键尺寸（Critical dimensions-CD）-- 一个最小特征图形的绝对尺寸，包括线宽、间隙、或者关联尺寸。去边（Edge bead removal-EBR）--去胶边的过程，通常在涂胶后将溶剂喷在硅片的背面或前边沿上。1 [# [6 C k; ] c; |; C- A前烘（Soft-bake）-- 在涂胶后用来去除胶溶剂的温度步骤。! x: }/ ?7 V) b曝光（Exposure）-- 把涂胶后的硅片，暴露在某种形式的射线下，以在胶上产生隐约的图像的步骤。PEB (Post-exposure-bake)—曝光以后消除胶里的由衬底反射引起的胶里的驻波的温度步骤。 \ R _9 a x. X显影（Development）-- 在曝光以后分解胶产生掩膜图案的过程。后烘 (Hard-bake)—用来去除残留溶剂，增加胶的沾着力和耐腐能力，在显影后完成，可以包括DUV固胶。- b4 m \5 P5 ^; Q R$ F. v2 ~化学蚀刻（Chemical etching）-- 根据化学反应机理，气态物质（中性原子团）与表面反应，产物必定易挥发，也称为等离子蚀刻。. B2 K r3 o; R0 N等离子增强蚀刻(Ion-enhanced etching)—单独使用中性原子团不能形成易挥发产物，具有一定能量的离子改变衬底或产物；具有一定能量的离子改变衬底或产物层，这样，化学反应以后能生成挥发性物质，亦称为反应离子蚀刻（RIE）。溅射蚀刻（Sputter etching）--具有一定能量的离子机械的溅射衬底材料。蚀刻速率（Etch rate）--材料的剥离速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min为单位计量。7 j Y( ~/ F9 k. k2 y. p* B! X各向同性蚀刻（ Isotropic etch）-- 蚀刻速率在所有方向都是相同的。各向异性蚀刻（Anisotropic etch）-- 蚀刻速率随方向而不等。! L A6 y3 t2 x9 P k J) U. N6 o4 { |# d二、 Clamping 和 拱形电极1. Clamping：目的3 U+ o3 ]% N |为什么夹紧硅片？通过提高硅片到下电极的热量交换来控制硅片温度。$ h1 G7 C8 o1 y; Y7 F$ e2. Clamping：clamp设计