半导体光电材料.pptVIP

复习;复习;半导体光电材料;半导体光电材料是一门发展极为迅速的边缘学科，同时也是一门实践性很强的应用学科。半导体光电材料是光电信息技术的重要基础和组成部分。 通过了解当今材料科学和工程的新概念、新理论、新技术、新工艺，把握材料科学与工程的前沿及最新动向。 材料类型主要包半导体光电功能材料、低维功能材料（薄膜、异质结构、超晶格）。; 半导体光电材料 了解半导体激光器的理论基础 光电子集成电路的基本知识 重点： 半导体光电材料;1 半导体光电材料的发展; ;世界上第一只半导体激光器是1962?年问世的同质结型激光器。 在同一种材料上制作的pn结二极管。在正向大电流注人下，电子不断地向p区注人，空穴不断地向n区注入。于是，在原来的pn结耗尽区内实现了载流子分布的反转。由于电子的迁移速度比空穴的迁移速度快，在有源区发生辐射、复合，发射出荧光，在一定的条件下发生激光，这是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光器。 ; 1969年发明单异质结构激光器。 两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs,?GaAlAs所组成。 1970年，实现了激光波长为9000A，室温连续工作的双异质结GaA(砷化稼一稼铝砷)激光器。 双异质结激光器电流密度大大降低，实现了室温下连续工作，就在同一时间低损耗光纤研制成功。 1978年出现了世界上第一只半导体量子阱激光器(QWL)，它大幅度地提高了半导体激光器的各种性能。 ;光纤通信的发展对半导体光电子技术提出了越来越高的要求，因而促进了半导体光电子学的进一步发展. 近三十年是半导体光电子学发展最快的一个时期，现在它已经发展成为一门独立的学科，半导体光电子技术是当今各国广泛关注的高科技领域。;半导体激光器：因其体积小、耗电少、寿命长，应用领域十分广。 VCD(780nm)、CD-ROM、DVD(635nm,650nm)中读取数据； 激光打印、计算机直接印刷； 医疗中切割，内窥镜光源； 工业中打孔、焊接、切割； 光纤通信中光发射机的核心，泵浦源，中继器; 军事上：测距、红外夜视，激光雷达，激光制导，激光打靶。;1 半导体光电材料的发展/器件及其应用;发光二极管（LED-Light Emitting Diode）。 低电压、低功耗、高亮度、寿命远比白炽灯长，响应速度快。 可见光的用作家电、仪器设备的指示灯，七段数字显示、图形显示、交通指示灯、汽车尾灯，室外大型显示（三色全了）。 不可见光的用在遥控器、光通信、传感器中。; 半导体光探测器：光电成像，自动控制，辐射测量，弱信号探测，军事上，跟踪、制导、侦察、遥感。 太阳能电池：耗电低的产品，如万用表、时钟、电子计算机（LCD-liquid crystal display）显示的，灯塔，海上航标灯，人造卫星，家用太阳能热水器。 CCD图象传感器（固体摄像器件）：传真机、扫描仪、摄像机、数字照相机中都用到，光谱分析。;2 半导体激光材料;对于半导体激光器也是由这三部分组成： 工作物质：有源区； 谐振腔：晶体的自然解理面； 泵浦源：电源。 ;半导体激光器是靠注入载流子工作的。若发射激光，需具备三个基本条件： 要产生足够的粒子数反转分布，即高能态粒子数足够地大于低能态的粒子数。 要有一个合适的谐振腔能起到反馈作用，使激射光子增生，从而产生激光振荡。 要满足一定的阈值条件以使光子增益等于或大于光子损耗。;;;2 半导体激光材料;半导体激光器是向半导体PN结注入电流， 实现粒子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡的。; ;2 半导体激光材料/双异质激光器工作原理;在x＞0.37时，Ga1-xAlxAs中的电子将由直接带隙变为间接带隙跃迁，因此不能用；GaAlAs作有源材料制作发射波长λ＜0.65μm的激光器。 ;x=0, GaAs Eg=1.42eV， d=5.6533? x=1, AlAs Eg= 2.17eV d=5.6605?;2 半导体激光材料;2 半导体激光材料/超晶格层状结构;把能够对电子的运动产生约束并使其量子化的势场称之成为量子阱。;2 半导体激光材料/量子阱激光器; 单量子阱(SQW)激光器：把普通双异质结(DH)激光器的有源层厚度做成数十nm以下的一种激光器。 多量子阱(MQW)：势垒较厚以致于相邻势阱中电子波函数不发生交迭的周期结构。;2 半导体激光材料/分别限制（SCH）;2 半导体激光材料/多量子阱结构;低维(量子线和量子点);2 半导体激光材料/量子线和量子点;2 半导体激光材料/量子线和量子点激光器; Wetting Layer;在量子阱中引入应变和补偿应变可以改善QW激光器的性能，出现了应变QW激光器和补偿应变QW激光器。 减小了空穴的有限质量，从而减小了价