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电子线路 晶体三极管的输出特性曲线 江苏省金湖中等专业学校沈萍 级營 输出特性 教学设计 1.复习回顾 2.新知引入 3.讲授新知 4.拓展新知 级營 输出特性 A 复习回顾 vE与h成非线性关条 输入特性曲线 0.20.40.60.81.0vgE/V 当Vm大于三极管门坎电压时(管的0.5管的0.2),三极管 开始辱還。I較大的蔸內变动时,卩m变牝張小,似一个常 敷,此时V值称发尉篚卫向压降或辱窀丘值,管为0.7V,管 的题0.3V 动/B新知引入 心在电路维修和放障分析 中,常常要楓据洲量的 电压,利定三极管是否 正常工作,判定是三极 管坏了还是电路其他元 件坏了。就狠有必要掌 握三极管的三种工作状 态及特点。 C讲授新知 以共射电路为例 G ◆三极管的鞠幽特咝:Is为一定值,化和l间的梋应数量哭系, 可用三极管的鞠幽特啮茁粪示。 级營 输出特性 腑幽特曲线蔟图 IB一定,Vc和I对应的数据: lcmA饱和区 IB=OuA 0.15 IB=40mA00.430.52053053053053 IB=80 vA IB 012343678f Ver/v 截止区 级營 输出特性 1.截止区 冷IB=0,三极管处于截止状态。 lmA饱和区 =120uA ☆电流特点:IB=0,Ic=IcE0≠0,IcE为 穿透电流 心偏置条件:发射结反偏或零偏,集电 l=80μA 结反偏 △C=19mA 区 截止状态 E3a字 截止区 以NPN管为例: VBE vεE≤0VBc0.VcEVBE 级營 输出特性 饱和区 ☆ VCE=VCES,cEs称为饱和压降,硅管约0.3V lmA饱和区 ,锗管约为0V,三极管处于饱和状态。 IB=120 HA 电流特点:I不随IB的增大而线性增大。 饱和状态 ◆偏置条件:发射结正偏,集电结正偏。 △lc=19mA 40uA ⅢlB=40μA截止区 以NPN管为例: VBE0 VBCOVCE VBE 级營 输出特性 3.放大区 mA饱和区 令电流特点:I受I控制而变化,△Ic=β△I ,具有电流放大作用。 放大状态 ◆恒流特性:Iε一定,Ic不随Vε而变化,即I 恒定。 I -80uA ☆偏置条件:发射结正偏,集电结反偏。 △lc=1.9mA l=40pμA 2343781 截止区 以NPN管为例: BE VεE0.VBc0,vcEVBE 级營 输出特性 总结:三极管工作状态由偏置情况决定 截止状态 放大状杰 Vc 偏置发射结反偏或零偏 发射结正偏 条件 集电结反偏 集电结反偏 Vc VcVBl 电位即:VE0 即:VBE 电压 VE (NPN) VBC0, VBEV VBC0. VBE E V V VBVE, VBV 电位 BE0, 即:VBE0 电压 Vce VBEVCE (PNP) VBCO, VBEVcE V VE N