晶体生长与缺陷.pptVIP

晶体的形成和晶体的缺陷 晶核的形成 晶体形成的方式 ■晶体生长的理论模型 晶体的形成 ■决定晶体生长形的内因 影响晶体生长的外部因素 晶体的缺陷  11.1晶核的形成 成核是一个相变过程,即在母液相中形成固相小晶 芽,这一相变过程中体系自由能的变化为 AG=AG+△G 耳中△G为新相形成时体自由能的变化,且△G0 zGs为新相形成时新相与旧相界面的表面能,且△Gs 0 也就是说,晶核的形成,一方面由于体系从液相 转变为内能更小的晶体相而使体系自由能下降,另 方面又由于增加了液-固界面而使体系自由能升高。  晶体形成的一般过程是先生成晶核,而后再逐 渐长大。 一般认为晶体从液相或气相中形成有三个阶段: 1、介质达到过饱和、过冷却阶段; 2、成核阶段; 3、生长阶段。  成核作用与晶核 晶核:从介质中析出,并达到某个临界大小, 从而得以继续成长的结晶相微粒 成核作用:形成结晶相微粒的作用  以溶液情况为例,说明成核作用的过程 设单位体积溶液本身的自由能为g液 从溶液中析出的单位体积结晶相自由能为g品 在不饱和溶液中,g液吕品,不会析晶; 在饱和溶液中,g液吕晶’析晶。 方面:结晶相析出,利于降低体系的总自由能 方面:体系由一相变为两相,两相间产生界面,导 L致体系自由能增加  过饱和溶液中 设结晶相与液相自由能差为△G(0) 两相界面表面能为△G。(0) 体系总自由能的变化为△G=△G+△G 设晶核为球形,半径为r,则上式可表示为 △G=(4/3)Tr3△G?+Tr2△G △G为单位体积新相形成时自由能的下降 △G0为单位面积的新旧相界面自由能的增加  △G=(4/3)Tr3△G4Tr2△G0 △G △Gs 粒径为r的晶核为 △G 临界晶核 △G称为成核能 和△G与溶液的过 饱和度有关,过饱和 度越高,两者值越小 成核几率越大。  成核作用分为: 1、均匀成核:在体系内任何部位成核率相等。 2、不均匀成核:在体系的某些部位的成核率高 于另一些部位。 由于体系中存在某种不均匀性,如 溶液中悬浮地杂质微粒,容器壁上 凹凸不平,或人为地放入籽晶或成 核剂等  11.2形成晶体的方式 晶体是在物相转变的情况下形成的。物相 有三种,即气相、液相和固相。只有晶体才是 真正的固体。由气相、液相转变成固相时形成 固体,固相之间也可以直接产生转变。  1气体凝华结晶:气态物质不经过液态阶段直接转变 成固体。 如:雪花就是由于水蒸气冷却直接结晶而成的晶体。 2熔融体过冷却结晶:当温度低于熔点时,晶体开始 析出,也就是说,只有当熔体过冷却时晶体发生。 如:水低于冰点时结晶成冰;铁水冷凝成铁的晶体 3溶液过饱和结晶:当溶液达到过饱和时,才能析 出晶体。 如:食盐的过饱和溶液中会析出食盐晶体 4非晶质晶化:由非晶质体转化为晶体 如:火山玻璃经长期的晶化作用而转变为石英 长石的微晶。