集成电路原理期末题(20200627130234).docxVIP

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2020-08-28 发布于境外
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集成电路原理期末题(20200627130234).docx

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一填空题微电子器件的隔离技术集成电路工艺分为型集成电路型集成电路型集成电路单个传输门有无阈值损失传输门有无阈值损失正温度系数温度补偿所以工作在解释对于输入逻辑逻辑需要个管需要个管伪需要个管逻辑需要个管二名次解释集成电路泡发射极工艺场开启建立时间三简答题解释饱和逻辑抗饱和逻辑非饱和逻辑并举出典型电路比较其优缺点画出输入与非门的伪模型并解释与普通逻辑的不同四大题如下面介个丑陋的版图就是课件里那个与非门版图请回答它采用的是什么工艺然后提它的电路图再说说它的功能五大题据说是如下面这个万恶的电路图其中为直

一、填空题微电子器件的隔离技术 *2 ：集成电路工艺分为型集成电路、型集成电路、型集成电路单个传输门有无阈值损失 CMOS 传输门有无阈值损失。正温度系数，，温度补偿，，所以工作在。解释： VLSI MEMS 6对于N输入逻辑，NMOS逻辑需要个MOS管，CMOS需要个MOS管, 伪 NMOS 需要个 MOS 管， PE 逻辑需要个 MOS 管。二、名次解释：集成电路泡发射极工艺场开启建立时间三、简答题 1.解释饱和逻辑，抗饱和逻辑，非饱和逻辑，并举出典型电路，比较其优缺点。 2.画出 3 输入与非门的伪 NMOS 模型，并解