电子元器件复习.docVIP

电子元器件复习 已知题型 选择题 单晶材料主要特点：①具有各项异性；②优良的均匀性；③新型材料开发难度大；④价格较高。 铁电性陶瓷材料：非氧化物铁电体（碘硫化锑SbSI、溴硫化铋BiSBr、硫化铁等）；氢键铁氧体（磷酸二氢钾、罗息盐NaKC4H4O6·4H2O、硫酸三干肽等）；双氧化物铁电体（铌镁酸铅等）。 重掺杂半导体的应用：改善元件温度特性。 压电晶体：石英、铌酸锂（LiNbO3）、钽酸锂（LiTaO3）；压电陶瓷：钛酸铅、锆钛酸铅（PZT).---------选择哪个是压电晶体或陶瓷。 填空题 热释电效应的前提：在直流电场中为各向异性，具有剩余极化强度（晶体无对称中心，且存在极轴）。 32种点群中有10种具有热释电效应 红外探测器按工作机理分为光子探测器、热探测器（热释电、热电偶、热敏电阻器、热电堆、气动探测器） 热释电探测器的性能参数：电压响应率Rv、噪声等效功率NEP、比探测度D*。 热释电敏感材料：PbTio3、PZT、LiTaO3、LiNbO3、热释电陶瓷等。 最早的避雷电阻器是SiC。 硬性添加物主要引起氧缺位；软性添加物电价都高于被置换的阳离子，形成阳离子缺位。 三、简答题 电子材料定义：所谓电子材料，是以发挥其物理性能或物理与物理性能之间、力学与物理性能之间、化学与物理性能之间相互转换的特性为主而用于电子信息工业的材料。 复合材料的乘积效应：指把一种具有X/Y转换功能的材料，与另一种具有Y/Z转换功能的材料复合后，会产生X/Y×Y/Z=X/Z的功能。例如：对有机PTC材料，温度（X）升高，材料体积膨胀 （Y），而膨胀又影响其中的导电颗粒，使电导下降（Z） ，即X/Y×Y/Z=X/Z：温度（X）升高，电导率下降(Z)。 第二类压电方程： T= T-应力，S-应变，D-电位移，E-电场强度，e-压电应力常数矩阵，cE-短路弹性刚度矩阵，εs-夹持介电常数矩阵，et-e的转置矩阵。 压电体的振动模式：a.长度伸缩振动模式，沿压电体长度方向振动，频率范围15-200kHz；b.弯曲振动模式，频率范围0.5-100kHz；c.厚度切变振动模式，频率范围300-350000kHz；d.面切变振动模式，频率范围100-1000kHz；e.能陷振动模式，频率范围3-30MHz。 热力学唯象理论：根据该理论，相变可分为二级相变和一级相变。在一级相变中，晶体的熵、体积、极化强度、晶体结构等在相变温度的变化不连续；二级相变中，上述量的变化是连续的，但这些量对温度的微商不连续。 压敏电阻器的性能参数：标称电压、漏电流、压敏电阻器的C值、耐浪涌能力、功率特性、温度特性、固有电容、残压比。 压敏电阻器材料分类：ZnO系压敏电阻陶瓷、SiC系和BaTiO3系压敏电阻陶瓷、SrTiO3压敏电阻器。 光伏效应：在光线照射下，PN结附近被束缚的价电子吸收光子能量，受激发产生电子-空穴对，在内电场作用下，空穴移向P区，电子移向N区，使P区带正电，N区带负电，于是在P区和N区之间产生电动势。这种现象叫做光伏效应。 光电式位移传感器的原理：将与测量长度范围相一致的主光栅固定在运动零件上，短的指示光栅与光敏元件固定在一起，当两块光栅做相对运动时，可以观察到莫尔条文光强的变化，光强由亮变暗，再由暗变亮，即莫尔条文移动了一个距离，则光栅也移动了一个距离，由此可测出运动零件的位移。 栅极作用：如果在N型半导体表面吸附氧时，使晶粒的接触界面的势垒变高、变厚，这时电子不能以隧道效应通过它。如果在这势垒上吸附还原性气体时，势垒将变低。这样电子就可以越过势垒或者以类似肖特基势垒效应而过去，所以电流按指数增加。此势垒高度的变化即为电导率变化的原因。 半导体气敏器件的工作原理：①表面电阻控制型气敏器件：N型半导体气敏器件的表面在空气中吸附氧分子并从半导体表面获得电子而形成O2-、O-、O2-等受主型表面能级，结果表面电阻增加，如果H2等还原性气体作为被检测气体与气敏器件表面接触时，这些气体与氧进行如下反应： O 因此，被氧原子捕获的电子重新回到半导体中去，表面电阻下降。②体电阻控制型气敏器件：很多氧化物半导体由于化学计量比的偏离，尤其是化学反应性强而且容易还原的氧化物半导体，在比较低的温度下与气体接触时晶体中的结构缺陷就发生变化，继之体电阻变化。③非电阻型半导体气敏器件：金属和半导体接触时形成肖特基势垒，若在金属和半导体接触部分吸附某种气体时半导体能带或金属功函数改变，则器件整流特性就有变化。 正、负湿阻特性导电机理：正湿阻特性湿敏陶瓷主要靠若干自由电子来传导电流，水分子的附着使这类自由电子受到约束，因而电阻增加；若水分子附着后能释放出更多的自由电子，则属于负湿阻特性湿敏陶瓷，且后者除存在电子电导外，通常还存在离子（H+、OH-）电导，湿度足够高时，离子电导起主要作用