化学气相沉淀法汇编.pptVIP

化学气相沉淀法合成单晶金刚 石实验探索 小组成员 XXⅩ: XXXXXXXXXXX XXX: XXXXXⅩXXXⅩⅩ XX: XXXXXXXXXXⅩ 目录 1.简介 2金刚石化学沉淀的必要条件 3化学沉淀法合成金刚石的方法 颜·4PCVD合成金刚石技术的发展历史与研究现状 5 MPCVD单晶体金刚石成核过程和生长模式 6影响 MPCVD合成单晶体金刚石生长的主要因素 M 简介 化学气相沉积法(CVD= chenical vapor Deposition)合成金刚石(24,51是指在低压条件 (00kPa)下,采用一定方法激活含碳源气体,使其 中的碳原子在基底(种晶)上过饱和沉积,生长成金 刚石。碳源气体被激活和碳原子的沉积过程伴随 着一系列化学反应,因此这种合成金刚石的方法被 称为化学气相沉积法。该方法设备简单,生产成 本低,可以在几天内生长出大颗粒的高质量单晶钻 石,并且这种方法对金刚石的外貌和几何形态可以 进行控制因而使金刚石的功能在应用中得以充分除 的发挥。 M 现金刚石的化学气相沉积有几个必要条件: 有碳源气体和激活碳源气体的能量,将碳原子从碳源气体 中剥离出来; 有供cVD金刚石生长的物理空间,即基底或称种晶根据实 验目的的不同可选用不同的基底,常用作基底的材料有硅 钨,铝等,但目前CVD法合成单晶体金刚石必须采用金刚 石作种晶,才能实现单晶CVD金刚石的同质外延