半导体材料 外延生长.pptVIP

第五章硅外延生长 electrode TATAU I2IQeoLso p-type Zno: P type Zno: P  5.1外延生长概述 只有体单晶材料不能满足日益发展的各种半导体器件制作的需 要,1959年末开发了薄层单晶材料生长技术一一外延生长 外延生长就是在一定条件下,在经过切、磨、抛等仔细加工的 单晶衬底上,生长一层合乎要求的单晶层的方法。 同质外延:外延层与衬底同种材料 如Si/Si、GaAs/GaAs、GaP/GaP; 异质外延:外延层与衬底不同材料 如Si/A2O3、Gas/si、 GaAlAs/GaAs; 外延生长分类 ·根据外延层性质 外延生长用来生长薄层单晶材料,即薄膜 外延生长:在一定条件下,在单晶衬底上,生长一层合乎要 求的单晶层的方法 生长的这层单晶叫外延层。(厚度为几微米)  正外延:器件制作在外延层上 反外延:器件制作在衬底上 根据外延生长方法: 直接外延 是用加热、电子轰击或外加电场等方法使生长 的材料原子获得能量,直接迁移沉积在衬底表 面上完成外延生长如真空淀积,溅射,升华等 间接外延 是利用化学反应在衬底表面上沉积生长外延层,广义上称 为化学气相淀积( chemical vapor deposition,cvD) CVD生长的薄膜未必是单晶,所以严格讲只有生长的薄 膜是单晶的c