2014春季电子技术应用期末考试-答案.pdfVIP

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  • 2020-08-29 发布于天津
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电子技术应用高一 2014 年春季期末考试 姓名: 班级: 总分: 选择题 (每小题 2 分,共 60 分) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 判断题 (每小题 2 分,共 40 分) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 一、选择题: (每小题 2 分,共 60 分) 1、单极型半导体器件是( C )。 A 、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。 2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。 A 、三价; B、四价; C、五价; D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是( C )。 A 、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任 意状态。 4 、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于 1KΩ,说明该二 极管( C )。 A 、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。 5、PN 结两端加正向电压时,其正向电流是( A )而成。 A 、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。 6、测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为 VE =2.1V,VB =2.8V ,VC =4.4V ,说明此三极管处在( A )。 A 、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流( C )。 A 、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为( C )。 A 、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦 波。 9、三极管超过( C )所示极限参数时,必定被损坏。 A 、集电极最大允许电流 ICM ; B、集—射极间反向击穿电压 U BR CEO ( ) ; C、集电极最大允许耗散功率 PCM ; D、管子的电流放大倍数 。 10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是( C ) A 、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏; C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。 11、基本放大电路中,经过晶体管的信号有( C )。 A 、直流成分; B、交流成分; C、

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