射频PA行业生态技术发展分析.pptx

射频PA行业生态技术发展分析技术创新 变革未来射频模块是无线通信设备的核心模块图：手机射频架构无线通信主要是利用电磁波实现多个设备之间 的信息传输。射频是可以辐射到空间的电磁频 率,频率范围从300KHz～300GHz之间。射频模块 是用于发射和/或接收两个装置之间的无线电信 号的电子设备，是无线通信设备实现信号收发 的核心模块。图：无线通信图图：基站射频架构3射频PA是决定通信质量的关键器件图：手机射频前端架构图功率放大器是能够向天线提 供足够信号功率的放大电路 主要功能是将调制振荡电路 所产生的功率很小的射频信 号放大（缓冲级、中间放大 级、末级功率放大级）并馈 送到天线上辐射出去，是无 线通信设备射频前端最核心 的组成部分，其性能直接决 定了无线终端的通讯距离、 信号质量和待机时间（或耗 电量），它也是射频前端功 耗最大的器件。射频功率放大器在雷达、无 线通信、导航、卫星通信、 电子对抗设备等系统中有着 广泛的应用，是现代无线通 /信的关/键/设/备/。资料来源：GlobalFoundries ,华西证券研究所，65G应用场景18/资/料/来/源/：Yole，/华/西/证/券/研/究/所5G关键技术19/资/料/来/源/：Yole，/华/西/证/券/研/究/所手机射频PA单机用量大幅增加新增一个频段将会增加2颗PA的使用量，新增三个频段大概增加6颗左右 的PA芯片，4G多模多频手机需要5-7颗PA，预测5G多模多频手机内的PA芯 片最多或将达到16颗。图：3G、4G、5G手机射频前端器件大幅度增多27/资料来/源/：MWRF/ /，华西证/券/研究所射频PA的工艺及演进图：射频PA工艺演进目前射频PA的常见工艺有GaAs、 SiGe BiCMOS、CMOS和RF-SOI。GaAs 具有射频性能好、击穿电压高等优 势，但成本高、难于集成，未来发 展方向主要在于开发更大尺寸晶圆 技术降低制造成本。其他三者均是 以硅为基础的半导体工艺，具有集 成度好、成本低等优势，但材料性 能局限明显。四者优劣势及发展方向见下表：工艺优势劣势发展方向GaAsRF性能好、击穿电压高成本高、难于集成开发200mm晶圆技术，更大的尺寸将降低制造成本SiGe BiCMOS高频特性好、集成度高、 良率和成本优势截止频率与击穿电压过低， 功率消耗较高提高截止频率和击穿电压，降低功 耗CMOS低成本、高集成度高噪声、低绝缘度与Q值、改 善性能将增加制程成本、功 放面积与GaAs比过大短期在对性能不十分苛求的市场领 域依靠成本优势开拓市场，长期需 要CMOS PA架构重大的突破和创新RF-SOI功耗、易于集成在击穿电压方面面临挑战提升它们的击穿电压，以实现好的 线性度和大信号处理能力43/资料来/源/：GLOBALFOUNDRIES/ /，华西/证券研究所GaN产业链衬底外延设计制造封测Sumitomo ChemIQEAllos SiltronicMarfinisar Qualcomm GaN System OromisWin GCS OMMIC II-VI NXPFiltronic STIII-V LabDiamond microwaveASEGaN:Sumitomo,Mits 中 ubishi,Furukawa,K 国 yma,OromisSiC:Cree,II-大 VI,Dow陆 Corning,Rohm,Nippon Steel 以 Si:Shin- 外 Etsu,GlobalWafer,SitronicIDM:Qorvo,Wolfspeed,Hittite,Infineon,ADI,MACOM,RFHIC,UMS苏州晶湛苏州能讯安普隆海思半导体中兴微电子三安集成 海威华芯 益丰电子长电科技华天科技GaN:苏州纳维，东 莞中镓SiC:山东天岳，天科合达Si:重庆超硅，宁夏 银和，天津中环中 国 大 陆IDM:中电科13所，中电科55所，中科院微电子所，苏州能讯，益本电子，凝慧电子69/资料来/源/：材/料深/一度，/ /华/西/证券/研究所行业整合持续，重点公司寻求全品类供应射频器件本质上是半导体器件，4G普及高峰过后，射频器件厂商成长性衰退，2014年以来，射频器件厂商收购兼并 持续进行，产业链呈现寡头竞争格局，竞争门槛不断提高。整合的方向包括功放和滤波器厂商合并、基带和射频前 端厂商合并、硅基功放厂商被合并。表：全球射频厂商通过合并整合强者越强时间事件背景2012 年-2013年muRata 收购Renesas 的手机用PA事业部瑞萨拥有以硅实现多模多频型PA的要素技术，拥有以Si-LDMOS工艺实现PA的技术RFMD收购Amalfi半导体Amalfi为入门级手机提供RF和混合信号芯片，拥有在RF CMOS技术上的RF和