半导体物理载流子统计分布.pptVIP

201658 第三章半导体中载流子的统讣分布 (CARRIER STATISTICS 载流子浓度=(状态密度gE)Ⅹ分布函数EEV 状态密度gE)单位能量间隔中的量子态数(能级数) 分布函数f(E)能量为的量子态被一个粒子占据的几率 201658 1 Electorn concentration(导带中的电子浓度) 状态密度( Density of states): 金属自由电子g(E) 半导体导带电子g(E) g(e)=4rl (2m)E 8(E)=4rr(em) (E-E 201658 对于Si,Ge g!(E)=4,b-(E-E 其中: mi=s(n, m, 2y13导带底电子状态密 度有效质量 S: the number of ellipsoidal surfaces lying within the first Brillouin s=(1/2)8=4 201658 将分布函数f(E) 半导体导带中的电子按能量的分布服从费米统计分布 fermi function f(E) 1+e E-Ep 当E-Enk,八()e 玻尔兹 曼分布 非简并半导体( nondegenerated semiconductor 简并半导体( degenerated semiconductor, 201658 导带电子浓度n B。 h3e kT(E-E)dE 引入x=(E-E)/k 令E甲→0则x 201658 4 7(2m, y m /2 E-EF X ay kT A 2m 3/2 E-E eⅩ kT mkt Ec-Ep AnT =Ne 导带的有效状态密度Nc 电子占据量子 态Ec的几率 201658 2,0 DLE CONCENTRAT0N(中的空穴浓度) 状态密度: (2m*)3/2 g(E)=4y--(E-B)2 分布函数fE) f(E)=1-f(E)= E-EF e fE)表示空穴占据能态E的几率,即能态E不被电子占据的几率。 201658 E-EkT Er-E flee k07 价带空穴浓度p Ev (2m, ky Ep ey 6=j、E)(EME=2 价带顶部E态被 价带的有效状态密度Nv空穴占据的几率 201658 3施主能级上的电子浓度 状态密度=所掺施主杂质的浓度NDE=E 分布函数E):施主杂质能级与导带中的能级不 同只能是以下两种情况之 1)被一个有任一自旋方向的电子所占据;(2)不接受 电子 D k e 201658 施主能级上的电子浓度np DD 1+1e 电离了的施主浓度( ionized donors) =N, D EF-Ep 1+2e kot