光探测与光接收机.pptVIP

本章内容 对光检测器的基本要求 ■PN结光电检测原理 ■PIN光电二极管 ■APD雪崩光电二极管 MSM光电探测器 单行载流子光电探测器 ■波导光电探测器 n数字光接收机  对光检测器的基本要求 1在系统的工作波长上要有足够高的响应度,即对一定的入 射光功率,光检测器能输出尽可能大的光电流。 2波长响应要和光纤的三个低损耗窗口兼容。 3有足够高的响应速度和足够的工作带宽 4产生的附加噪声要尽可能低,能够接收极微弱的光信号。 5光电转换线性好,保真度高。 6工作性能稳定,可靠性高,寿命长。 7功耗和体积小,使用简便。  光纤通信常用的光电检测器 ■半导体材料 ■PIN光电二极管 ■APD雪崩光电二极管  PN结光电检测原理 电子 扩散内部电场 中一一一m 漂移 复合 光 空穴° 复合 漂移 打散 光生电动势  耗尽区:由于扩散电流和漂移电流方向相反,在平衡状 态下两种电流相等,使得总电场为零,等效于空间电荷 区的电阻阻值很大,载流子数目很少,称其为耗尽区 PN结界面物和空内部电场一漂移运动一“耗尽区、扩散区 当入射光作用在N结时或等于带顾(发生受激吸收、光生载流子 在耗尽层内部电场的年用,取千·形成漂移电流。 八 运 在耗尽层两侧热→形成与漂移电流同向的广散电流 半导体材料的光电效应?  PN结光电二极管结构 (a)反向偏置的PN结 电极sio2 p 手输出电压 当光入射时,光生电子 空穴对分别向N区和P 区漂移,在外电路产入射光 h空穴 极C电子 hvEg R负载电阻 E lp光生电流 耗尽区 抗反射膜 W=几μm W  PN结光电二极管工作原理 ■当PN结加上反向电压后,在入射光的作用下,由于受 激吸收过程生成的电子-空穴对在电场的作用下,分别 离开耗尽区,在闭合外电路中形成光生电流的器件 当入射光功率变化时,光生电流也随之线性变化,从 而把光信号转变成电流信号。 加反向电压? 入射光? 光生载流子? 光生电流?  镀抗反射膜以减少反射光强度 ln211 n 入射光 2 透射光 反射光A 抗反射膜 器件 表面 反射光的相位差? 厚度? = m=1.3.5 反射光的幅度? 折射率?  光电二极管的特性 1响应度R R P 2量子效率n 产生的电子一空穴对的个数1 入射光子数 P=ng hf 1. 24  3截止波长Ac A≤A≈hc-1.24 E. E(ev) 4响应速度 光生载流子的漂移时间、扩散时间、RC时间常数