晶体管放大电路分析及计算.pdfVIP

. 晶体管放大电路分析及计算 一、共发射极放大电路 （一）电路的组成：电源 VCC 通过 RB1 、RB2 、RC 、RE 使晶体三极管获得合适的偏置，为三极管 的放大作用提供必要的条件， RB1 、RB2 称为基极偏置电阻， RE 称为发射极电阻， RC 称为集电极负载电 阻，利用 RC 的降压作用，将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化，从而实现信号的电压放 大。与 RE 并联的电容 CE ，称为发射极旁路电容，用以短路交流，使 RE 对放大电路的电压放大倍数不产 生影响，故要求它对信号频率的容抗越小越好，因此，在低频放大电路中 CE 通常也采用电解电容器。 V cc( 直流电源 ): 使发射结正偏，集电结反偏；向负载和各元件提供功率 C 1、C2( 耦合电容 ): 隔直流、通交流； R B1 、 RB2( 基极偏置电阻 )： 提供合适的基极电流 R C(集极负载电阻 )： 将 DIC ? D UC ，使电流放大 ? 电压放大 R E(发射极电阻 )： 稳定静态工作点 “Q ” C E(发射极旁路电容 )： 短路交流，消除 R E 对电压放大倍数的影响 （二）直流分析：开放大电路中的所有电容，即得到直流通路，如下图所示，此电路又称为分压偏 置式工作点稳定直电流通路。电路工作要求： I1 3(5~10) IBQ ，UBQ 3 (5 ~ 10) UBEQ 838 电子 求静态工作点 Q ： 方法 1.估算 工作点 Q 不稳定的主要原因： Vcc 波动，三极管老化，温度变化稳定 Q 点的原理： 方法 2.利用戴维宁定理求 IBQ .. . （三）性能指标分析 将放大电路中的 C1 、C2 、CE 短路，电源 Vcc 短路，得到交流通路，然后将三极管用 H 参数小信 号电路模型代入，便得到放大电路小信号电路模型如下图所示。 1. 电压放大倍数 2. 输入电阻计算 .. . 3.输出电阻 Ro = R C 没有旁路电容 CE 时： 1. 电压放大倍数 源电压放大倍数 2. 输入电阻 3.输出电阻 Ro = RC 二、共集电极放大电路 ( 射极输出器、射极跟随器 ) （一）电路组成与静态工作点 共集电极放大电路如下图 (a) 所示，图 (b) 、(c) 分别是它的直流通路和交流通路。由交流通路看，三极 管的集电极是交流地电位，输入信号 ui 和输出信号 uo 以它为公共端，故称它为共集电极放大电路，同时 由于输出信号 uo 取自发射极，又叫做射极输出器。 IBQ =( Vcc –U BEQ)/[ RB +(1+ b) R E] ICQ = bIBQ ，UCEQ=Vcc –ICQRE （二）性能指标分析 ..