电力电子与变频技术 电力电子与变频技术 项目三 PC主机开关电源电路.pptxVIP

项目三PC主机开关电源电路任务一 全控型电力电子器件的应用学习目标： 1．认识GTR、MOSFET和IGBT的外形结构、端子和型号。 2．会测试GTR、MOSFET和IGBT，会判别器件的端子和好坏。 3．通过选择器件，掌握器件的基本参数工作任务： 1．认识GTR、MOSFET和IGBT的外形结构、端子和型号。 2．用万用表及实验装置进行器件的测试。 3．器件的选用。1. 大功率晶体管（GTR）■电力晶体管（Giant Transistor——GTR） 按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar JunctionTransistor——BJT） ■GTR的结构和工作原理 ◆与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 ◆最主要的特性是耐压高、电流大、开关特性好。 1. 大功率晶体管（GTR）+表示高掺杂浓度，-表示低掺杂浓度 图3-6 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动◆ GTR的结构 ?采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构，并采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。 ? GTR是由三层半导体（分别引出集电极、基极和发射极）形成的两个PN结（集电结和发射结）构成，多采用NPN结构。bi=icb空穴流ib电E子c流Ebb )i=(1+iebc)1. 大功率晶体管（GTR）?在应用中，GTR一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为(3-1) ?称为GTR的电流放大系数，它反映了基极电流对集电极电流的控制能力。当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 (3-2)?单管GTR的? 值比处理信息用的小功率晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可以有效地增大电流增益。图3-6 c) 内部载流子的流动 Ic放大区饱和区ib3ib2ib1iiib1b2b3截止区OUce1. 大功率晶体管（GTR）■GTR的基本特性 ◆静态特性 ?在共发射极接法时的典 型输出特性分为截止区、放 大区和饱和区三个区域。 ?在电力电子电路中， GTR工作在开关状态，即工 作在截止区或饱和区。 ?在开关过程中，即在截 止区和饱和区之间过渡时， 一般要经过放大区。图3-7共发射极接法时GTR的输出特性ibIb190%Ib110%Ib10tIb2ttonoffttttisfdrIccs90%Ics10%Ics0ttttttt0123451. 大功率晶体管（GTR）◆动态特性 ?开通过程 √需要经过延迟时间td和上升时 间tr，二者之和为开通时间ton。 √增大基极驱动电流ib的幅值并 增大dib/dt，可以缩短延迟时间， 同时也可以缩短上升时间，从而 加快开通过程。 ?关断过程 √需要经过储存时间ts和下降时 间tf，二者之和为关断时间toff。 √减小导通时的饱和深度以减 小储存的载流子，或者增大基极 抽取负电流Ib2的幅值和负偏压， 可以缩短储存时间，从而加快关 断速度。 ?GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多。是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分。主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的。图3-8 GTR的开通和关断过程电流波形1. 大功率晶体管（GTR）■GTR的主要参数 ◆电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集电极与发射极间漏电流Iceo、集电极和发射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff ◆最高工作电压 ?GTR上所加的电压超过规定值时，就会发生击穿。 ?击穿电压不仅和晶体管本身的特性有关，还与外电路的接法有关。 ?实际使用GTR时，为了确保安全，最高工作电压要比BUceo低得 多。1. 大功率晶体管（GTR）◆集电极最大允许电流IcM ?规定直流电流放大系数hFE下降到规定的1/2~1/3时所对应的Ic。 ?实际使用时要留有较大裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。◆集电极最大耗散功率PcM ?指在最高工作温度下允许的耗散功率。 ?产品说明书中在给出PcM时总是同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度。 IcPISBcMPSOAcMOUUceceM1. 大功率晶体管（GTR）■GTR的二次击穿现象与安全工作区 ◆当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿，被称为一次击穿。 ◆发现一次击穿发生时如不有效地限制电流，Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿。 ◆出现一次击穿后，GTR一般不会损坏，二次击穿常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。 二次击穿功率 ◆安全工作