少子寿命介绍..pptVIP

Minority Carrier Lifetime 少子寿命原理及应用 黎晓丰 Minority Carrier Lifetime 圣-1.半导体简介 9■2.非平衡载流子及少子寿命 3.少子寿命影响因素 4.少子寿命的测试方法简介 ■5.WT-2000的运用 Minority Carrier Lifetime 1.半导体( Semiconductor) 硅(S)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等 ■导电性介于导体和绝缘体之间(10 101092cm) ■电导率和导电型号对杂质和外界因素高 度敏感 Minority Carrier Lifetime 硅( Silicon) Si):(Si): si: (si: Si: (si):(si):(s): Tetrahedron [Si, Ge, C, etc. Φ金刚石结构,每个硅原子与四个相邻原子之间共用电子对形成共价键 硅原子相邻,形成正四面体结构 Minority Carrier Lifetime 能带( energy band) ■导带、价带、禁带宽度 载流子:电子(自由电子、 electron)、空穴 (hole) 乏四 电子带负电 空穴带正电 空穴 Minority Carrier Lifetime 掺杂 三■为得到一定的载流子浓度而掺入电活性 的杂质。 乏四 g■通常P型掺杂掺B;N型掺杂掺P。 Minority Carrier Lifetime (Si: (Si):(Si: ::蜀 Si):(P):(Si): :(si):(si): :(s):(s):(s): (a) (e) E E Ec Mir Niy ity Carrier L PIyime 圣■P型掺杂(I嫉):B、A、Ga、In 9■N型掺杂(V族):P、As、Sb 均为浅能级杂质 ■常温下,非重掺,P型硅的空穴浓度等于 P型掺杂剂浓度;N型硅的电子浓度等于 N型掺杂剂浓度。 Minority Carrier Lifetime 三■P型硅的载流子绝大部分为空穴。空穴为多 数载流子( majority carrier,简称多子;电 子为少数载流子( minority carrier),简称少 三■N型硅的载流子绝大部分为电子。电子为多 子,空穴为少子。 Minority Carrier Lifetime 3.非平衡载流子 圣■平衡状态下,电子空穴对的产生和复合 率相等。电子和空穴浓度丌、p不变。 E 复合 E Minority Carrier Lifetime