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8 等离子体化学气相沉积 （淀积）（ PCVD ） 材料学院 2014 年 10 月 山 东 科 技 大 学 主要内容 ? 1 、 CVD 技术基础 ? 2 、第二代薄膜技术 PCVD 基本特征 ? 3 、 PCVD 装置 ? 4 、 PCVD 膜的基本评价 ? 5 、 PCVD 技术应用 山 东 科 技 大 学 1 、 CVD 技术基础 ? 化学气相沉积（ Chemical Vapor Deposition ， CVD ），通常是指将气态物质经化学反应生成固 态物质并沉积在基片上的化学过程。 ? 反应式： A(g ） +B （ g ） → C （ s ） +D （ g ） 山 东 科 技 大 学 CVD 的分类 ? 按激活反应体系所采用的能量方式不同，分： ? 热 CVD ? 等离子增强 CVD(PECVD, PCVD) ? 激光增强 CVD(LECVD) ? 光 CVD 山 东 科 技 大 学 常规 CVD 优缺点 ? 最早应用的是热激发的常压 CVD ，其反应温度大多在 1000 ℃以上。 ? 优点： ? 可制作金属、非金属及多成分合金薄膜 ? 成膜速度快，能同时制作多工件的均匀镀层 ? 在常压或低真空进行镀膜的绕射性好 ? 纯度高，致密性好，残余应力小，结晶良好 ? 获得平滑沉积表面 ? 辐射损伤低 ? 缺点 ? 反应温度太高 山 东 科 技 大 学 ? 常压 CVD