《光电子技术》第3章3.2电光调制.ppt

§3.2电光调制 第三章 光束的调制和扫描 本章内容： §3.1光束调制原理 §3.2 电光调制 §3.3 声光调制 §3.4 磁光调制 §3.5 直接调制 §3.6 光束扫描技术 本章要求： 1 了解光调制的一般概念. 2 掌握各种调制与扫描的原理与特点.(重点与难点) 一、电光强度调制 利用纵向电光效应和横向电光效应均可实现电光强度调制。 1 纵向电光调制器及其工作原理 P1 Ii x y z x? y? P2 Io 调制光 ~ V L 起偏器 ?/4波片 检偏器 图3-4 纵向电光强度调制 设通过起偏器P1后的偏振光振幅为Ex 刚进入晶体（z=0）被分解为沿x?和y?方向的两个分量，其振幅和相位都相同，分别为: P1 Ii x y z x? y? P2 Io 调制光 ~ V L 起偏器 ?/4波片 检偏器 入射光强度为两个垂直分量的强度的代数和： 通过长度为L的晶体之后，和两个分量之间产生了一相位差??，则有: 通过检偏器P2的总电场强度是所有电场强度在y方向的投影之和，复振幅为： P1 P x y x Y z V P2 输出光强为: (T随加在电光晶体上的调制电压V而变——强度调制) 由2.2节知：纵向电光效应的相位延迟: 得调制器的透过率： P1 P x y x Y z V P2 非线性! 应选线性工作点B。 光强调制特性曲线: 50 100 透过率(%) 0 透射光强 电压V 调制电压 V? V?/2 Vm 电光调制特性曲线 B t 线性调制措施1: 50 100 透过率(%) 0 透射光强 电压V 调制电压 V? V?/2 Vm 图5 电光调制特性曲线 B t 加固定偏压V?/2，即所加的电压为： 这时（3-18）式变为： 令 ,有： 可证（P79）, 若 （3-19）式可表示成线性关系： 但这种加偏压方法会增加电路的复杂性，而且工作点的稳定性也差。 线性调制的判据 线性调制措施2: 在检偏器前插入一?/4波片，其快慢轴与晶体的主轴x成45?角，从而使 和 两个分量之间产生?/2的固定相位差。 于是总相位差为 P1 Ii x y z x? y? P2 Io 调制光 ~ V L 起偏器 ?/4波片 检偏器 总相位差 P1 Ii x y z x? y? P2 Io 调制光 ~ V L 起偏器 ?/4波片 检偏器 调制的透过率公式（3-18）变成： (与加 偏压的效果是相同) 由线性调制的判据 可知，为了获得线性调制，要求调制信号不宜过大(小信号调制)，如果信号过大(大信号调制)，则光强调制波就要发生畸变。 纵向电光调制器具有结构简单、工作稳定、不存在自然双折射的影响等优点。其缺点是半波电压太高，不过半波电压高对满足线性调制的条件有利。 50 100 透过率(%) 0 透射光强 电压V 调制电压 V? V?/2 Vm 电光调制特性曲线 B t 2、横向电光强度调制 入射光偏振方向与z轴夹角450, 进入晶体后，将分解为沿x和z方向振动的两个分量. 由2.2节已知, 则从晶体出射两光波的相位差为 L V d z y? -x? 起偏器 检偏器 P1 P2 第一项是与外电场无关的晶体本身的自然双折射引起的相位延迟，对温度敏感,影响调制质量, 须设法消除. [例：L=3cm,?=632.8nm时，温度每变化10C，引起的附加相位差为1.1?,相当于一个半波电压(数千伏电压)所产生的相位差! 调制器根本无法正常工作]。 实际中常采用“组合调制器”对该项进行补偿。 第一块晶体加电场为-Ez，经过第一块晶体后，两束光的相位差 经过半波片后，o,e光互换，第二块晶体加电场为Ez第二块晶体引起的相位差： + - “组合调制器”： 于是，通过两块晶体之后的总相位差为 组合时自然双折射的影响得到补偿，而且半波电压为比单块晶体时的半波电压小一半。 作了补偿之后，电光相位差表达式与纵向调制相同，同样的分析可得出与纵向调制相同的调制规律（调制曲线相同，同样可加π/2偏置电压或在检偏器前采用?/4波片实现线性调制） 二. 电光相位调制（纵向运用） 起偏器的透振方向平行于晶体的感应主轴x ?轴， 在晶体中只有沿x?方向振动的偏振光，从晶体透出后，相位的变化为： 入射光 偏振器 调制光 ~ V L x? y? z 输出光场为： 入射光 偏振器 调制光 ~ V L x? y? z 输入光场为： 调制信号： （相位随调制信号而变——电光相位调制） §3.2电光调制