《光电子技术》第4章光探测（下）.ppt

光电特性（光照特性）曲线：如果固定偏压V，测出光电流与光功率成线性关系。 下图为实测光照特性曲线. -6V偏置 0V偏置 光照度/lx i/μA 4）频率响应特性 光电二极管频率特性是半导体光电器件中较好的一种（即截止频率大，响应时间?小）,适宜于快速变化的光信号探测。 光电二极管多用于快速测量，对应着高频应用，噪声主要是散粒噪声和热噪声. 5）噪声特性 （2）PIN硅光电二极管 PIN管是在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体I。 P I N PIN光电二极管 P I N PIN光电二极管 引入I层本征半导体的作用： 1）本征层I电阻率大，使暗电流明显减小。 2）响应时间?从10-7s量级提高至10-9s量级，测量带宽可达10GHz，适用于光通信及快速自动控制领域。 3）耗尽层的厚度增加， 加大了灵敏体积，有利于量子效率的提高和光谱响应范围的扩展，尤其是向长波区的扩展更有价值。 引入I层本征半导体的负面影响： I层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。目前有将PIN管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。 （3）雪崩光电二极管（APD） PIN型光电二极管具有快得多响应速度，但增益低。所以，发展了雪崩型光电二极管，它既响应快，又具有高的增益（接近光电倍增管）。 雪崩二极管的结构和普通二极管的类似，只是在p-n结区增加了一个保护环(Zn环)，以提高p-n结的反向击穿电压。 （光电二极管：几十伏 雪崩二极管：几百伏） 雪崩二极管的工作原理： 施加接近反向击穿电压的反向偏置电压(几百伏)，使耗尽区的强电场达105伏/厘米； 　光生电子在强电场加速下，获得高动能，当与晶格发生碰撞时，使晶格电离形成二次电子。 　二次电子再被强电场加速，再次与晶格碰撞，使其电离产生二次电子，这个过程继续下去，称为雪崩过程，雪崩过程使电子数剧增，产生大的增益。 雪崩二极管不仅灵敏度高，也是目前响应速度最快的一种光电二极管。 噪声大是这种管子的主要缺点。噪声主要是散粒噪声（与增益M有关）和热噪声（与温度有关）。 光电倍增因子定义为倍增光电流与未倍增光电流之比： 式中VB为反向击穿电压，n为1-3的常数，与材料和波长有关 当V接近VB时，G很大，但这时暗电流大，噪声严重，所以实际应用中的偏压V要适当。 光敏电阻、光电池、光电二极管(PD,PIN,APD)的偏置及性能比较： 光敏电阻 光电池 光电二极管 偏置 任意 零偏置 反向偏置 光电特性i-P 非线性 线性 线性 伏安特性i-v 线性 非线性(第四象限) 非线性(第三象限) 频率特性R-f 慢，fc低 慢，fc低 快，fc高 噪声特性 散粒，热噪声，1/f 散粒，热噪声，1/f 散粒，热噪声(雪崩管最大) -6V偏置 0V偏置 光照度/lx i/μA 1. 典型的光敏电阻有哪几种？简述它们各自的特征。 2. 结合光伏探测器的伏安特性曲线，分析光伏探测器的两种工作模式。 3. 根据光电池的伏安特性公式： 计算光电池的短路电流isc与开路电压uoc。 4. 简述PIN光电二极管中I层本征半导体的作用。 5. 简述雪崩光电二极管的工作原理。 习题与思考题 6. 在光电导管，光电池和各种光电二极管（PD，　　　　　　PIN，APD）中， 　　响应较慢是：　　　　　　和　　　　　　，　　响应最快且最灵敏的是　　　　　　　　　，　　噪声最大的是：　　　　　　　　　　　　，　　伏安特性为线性的是　　　　　　　　　　,　　光电特性为非线性的是: 　 。 习题与思考题 §4-4-2　常用光电探测器简介(二、内光电效应型) 第四章 光探测 本章内容： §4-1光电探测器的物理效应； 光子效应：外光电效应，内光电效应 光热效应 §4-2光电探测器的性能参数； 积分灵敏度（响应度）R，光谱灵敏度Rλ，频率灵敏度Rf，量子效率?，通量阈Pth和噪声等效功率NEP，探测度D与归一化探测度D* §4-3光电探测器的燥声； 散粒噪声，电阻热噪声，低频噪声（1/f噪声） §4-4 常用光电探测器简介 一、外光电效应探测器(光电管、光电倍增管) 　　二、内光电效应探测器（光电导、光电池、光电二极管） （一）光电导管（光敏电阻） 内光电效应探测器——光电导、光电池、光电二极管 基于光电导效应——光照下改变自身的电导率（光照愈强,器件自身的电导率愈大） 1.光敏电阻的结构和偏置 结构: 一块半导体。 光敏电阻没有极性，是一个纯电阻器件。 对N型材料, 两极间加电压u时，产生的光电流为：