电子电路的分析与应用 金华职院：单元1-便携式喊话器的制作与调试 三极管基础知识教案.docVIP

应用电子技术专业国家教学资源库 讲稿2：三极管基础知识（1课时） 目标：认识三极管、三极管参数、检测与应用电路 目录 1. 认识三极管....................................了解 1.1 三极管的结构 1.2 三极管的放大作用 1.3 三极管的开关作用 2. 三极管参数.................................... 会 3. 三极管检测..................................... 熟练 4. 三极管应用电路............................. 会 0．引入 半导体三极管又称晶体管，是电子电路中的核心器件之一，它最主要的功能是电流放大和开关作用。由于其使用的普遍性和在电子技术中的重要性，因此是初学者的重点学习内容。 1．认识三极管 1．1 三极管的结构 （1）普通三极管的实物图如表1-1所示。 表1-1 普通三极管的实物图 名 称 实 物 图 名 称 实 物 图 高频小功率三极管 塑封小功率管 金属外壳大功率管正面图 金属外壳大功率管反面图 特大功率管 塑封中功率管 低频小功率管 带屏蔽的高频管（其中有一脚和外壳相连） 9014（9013、9015等） 射频大功率三极管 达林顿管 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 光电三极管 贴片三极管 功率开关三极管 片状 三极管 小功率管封装 ① 普通三极管有三个电极的，也有四个电极的，因此封装的管脚数也有不同。 ② 达林顿管，外形如下图所示。 由于达林顿管有多种形式，接线不一致，因此在维修和代换时要特别注意，不要犯经验主义错误。达林顿管接线形式如下图所示 中功率管封装 大功率管封装 F E T （2）片状三极管的实物图如表1-2所示 （3）三极管的结构与符号。 三极管分为NPN和PNP两种类型，其结构示意图和图形符号如图1-12所示。 NPN型三极管是在半导体材料上，用光刻、扩散等工艺生成两个N区和一个P区。其中一个N区体积小，掺杂浓度高，称为发射区；另一个N区体积大，掺杂浓度低，称为集电区；中间的P区很薄，掺杂浓度很低，称为基区。各区的引出线为三极管的三个电极，相应称为发射极E、集电极C和基极B。发射区与基区间的PN结称为发射结；集电区与基区间的PN结称为集电结。NPN型三极管的电路符号如图1-12（b）所示，发射极箭头为发射结正偏时发射极电流的方向。 图1-12 三极管的结构示意图和图形符号 同理，PNP型三极管是由两个P区和一个N区构成。其结构示意如图1-12（c）所示，PNP型三极管的图形符号如图1-12（d）所示。 需要指出的是，发射区和集电区的掺杂浓度及其体积大小不一，所以发射极和集电极一般不能互换使用，否则三极管的放大能力将大幅衰减。 1.2 三极管的放大作用 （1）三极管的电流分配关系，如表1-36所示。 表1-36 三极管的电流分配关系 管子类型 三电流关系 IC和IB的关系 β的意义 NPN型 根据克希荷夫电流定律 IE=IC+IB 定义为：IC=βIB，β一般在几十至几百之间（取决于制造） β为三极管电流放大系数，表示集电极电流是基极电流的β倍，β一般大于几十，如果把基极电流定义为放大器的输入电流，把集电极电流定义为放大器的输出电流，那么则说明只要用很小的基极电流，就可以控制较大的集电极电流，从而实现了电流放大作用 PNP型 同上 同上 同上 （2）三极管具有电流放大作用的外部条件。 在电子电路中，要使三极管具有放大作用必须给发射结施加正向偏置，给集电结施加反向偏置。 图1-13（a）所示为NPN三极管，EB通过Rb给发射结加一个正向电压。硅材料三极管UBE在0.7V左右，EC通过Rc给集电结加一个反向电压。因为UCB=UCE?UBE，所以只要UCEUBE，即可保证UCB0。如果以发射极E为参考电位点，必须VCVBVE，才能实现发射结正偏、集电结反偏。图1-13（b）所示为PNP型三极管，同理，必须VEVBVC，才能实现发射结正偏、集电结反偏。 图1-13 NPN三极管 图1-14 测试电路（3）三极管的特性曲线 图1-14 测试电路 了解三极管各极电压和电流之间的关系可以帮助我们进一步理解放大器的工作原理，这种关系往往用伏安特性曲线来表示。三极管的特性曲线可以用晶体管特性图示仪直观地显示在荧光屏上，也可以用电压表、电流表接成图1-14所示的测试电路，逐点描绘各变量之间的关系。三极管的特性曲线有输入特性和输出特性两种。 a．输入特性曲线。 三极管的输入特性曲线表示在固定UCE的情况下，IB与UBE之间的关系，如表1-37所示。 表1-37 三极管的输入特性曲线分析 名称