薄膜技术中PVD和CVD区区别详解.pptVIP

薄膜制备 张洋洋 薄膜制备工艺包括:薄膜制备方法的 选择,基体材料的选择及表面处理, 薄膜制备条件的选择和薄膜结构、性 能与工艺参数的关系等。 薄膜制备 家 物理气相沉积(PVD) 化学气相沉积(CVD) 物理气相沉积(PVD) PVD 物理气相沉积(PVD指的是利用某种物理的 过程,如物质的热蒸发或在受到粒子束轰击时物 理表面原子的溅射现象,实现物质从原物质到薄 膜的可控的原子转移过程 物理气相沉积(PVD) PVD 这种薄膜制备方法相对于下面还要介绍的化 学气相沉积方法而言,具有以下几个特点: 1需要使用固态的或者熔化态的物质作为沉积过 程的源物质。 2源物质要经过物理过程进入气相。 3需要相对较低的气体压力环境。 4在气相中及衬底表面并不发生化学反应。 物理气相沉积(PVD) 物理气相沉积法过程的三个阶段 1,从原材料中发射出粒子; 2,粒子运输到基片; 3,粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜 物理气相沉积(PVD) PVD 物理气相沉积技术中最为基本的两种方法就 是蒸发法和溅射法,另外还有离子束和离子助等 等方法。 蒸发法相对溅射法具有一些明显的优点,包 括较高的沉积速度,相对较高的真空度,以及由 此导致的较高的薄膜质址等 溅射法也具有自己的一些优势,包括在沉积 多元合金薄膜时化学成分容易控制,沉积层对衬 底的附着力较好等。 物理气相沉积(PVD) 真空蒸镀