直拉单晶硅工艺技术.pdf

直拉单晶硅工艺技术 石油化工学院 1 第二章直拉单晶炉  直拉单晶炉是用于直拉法单晶生长的设备。  炉子分两部分组成：机械部分和电控系统。  炉体为一带水套的不锈钢炉室，其内装有由石 墨加热器和石墨保温套构成的热场。  籽晶轴和坩埚轴分别从炉室顶部和底部插入炉 内，两轴具有转动和升降的机械传动系统。  下轴顶端装有石英坩埚，埚内可装入多晶硅料 以供拉晶用 直拉单晶炉的需求 为了提高生产效率，降低成本，也为了保证器件参数 的一致性、可靠性，都希望直拉单晶大直径化，设备控制 高度自动化。目前世界上已制造出了装料量达400kg 以上， 单晶直径达300mm 以上，从抽空到拉晶结束全部自动化控 制，且稳定性、可靠性极好的大型直拉单晶设备。为了提 高单晶的内在质量或者某方面参数的特殊要求，也出现了 磁场法直拉单晶炉和具有两个主炉室的连续加料直拉单晶 炉等。 直拉单晶炉的改良 1.为了缩小设备高度、增加稳定 性，目前普遍采用软轴代替原来的硬 轴； 2. 为了实现重复加料及重复拉晶， 都采用一下一上两个炉室（主室和副 室）； 直拉单晶炉的改良 3. 为了确保真空度和转动的稳定性，大 都在上、下轴的旋转部分安装磁流体密封。 4. 为了加大了投料量，在电源、水冷及 炉压监控上，采用了多种安全保障措施和安 全装置，电气上做到了全程自动控制和数据 交换，温度自控、等径自控和安全报警等。 国内最早生产直拉单晶炉的专业厂家是西 安理工大学工厂，该厂技术力量雄厚，机加工能 力很强，从事直拉单晶炉主要有TDR-70、TDR- 80、TDR-90、TDR-120等多种炉型。其中， TDR-120炉是2007年面世的，设计装料量120kg ， 实现了全过程自动控制，设计上有较大的改进。 1961年，在中国科学院半 导体物理所林兰英院士的亲 自指导下，北京机械学院工 厂（西安理工大学工厂的前 身）的技术人员与半导体物 理所的技术人员共同研制出 了我国第一台人工晶体生长 设备，TDK-36型单晶炉， 并且成功拉制出了我国第一 根无位错的硅单晶，单晶质 量接近当时的国际先进水平。 20世界80年代后期，我国半导体材料工业迅速 发展，国内半导体材料制造厂家大量引进美国 KAYEX CG3000型软轴提拉单晶炉。为满足我国半 导体材料工业不断发展的需要，1988年西安理工大 学工厂承担了国家七五科技攻关项目，研制成功了 TDR －62 系列软轴单晶炉 TDR －62 系列软轴单晶炉,投料量增至30kg ， 拉制单晶直径125mm。该炉采用软轴提拉机构, 大大 降低了设备高度。等径控制采用IRCON 光学高温计、 计算机对直径信号进行控制。我国区熔硅单晶的发 展也非常快,特别是75~100mm 区熔硅单晶的需求量 在不断上升，为此，1989年年我们研制成功TDL- FZ35型区熔炉。 TDL-FZ35型区熔炉，用以生产功率器件所需 75~100mm 的高质量硅单晶。该设备设置有晶体夹 持机构, 以保证稳定生长75~100mm单晶。在该设备 中首次采用了大直径焊接波纹管副室结构，传动部 件采用精密滚动丝杠、直线运动导轨、直流力矩机 等精密传动机构，提高了整机的运动稳定性。其各 项指标均达到国际先进水平，到目前为止仍是国内 75~100mm 区熔硅单晶主要生长设备。为了满足市 场对150~200mm的需求， 1996年开发生产了TDR-80型直拉硅单晶炉，该 单晶炉籽晶在炉内有效行程为2500mm ，坩埚行程 为400mm ，炉室内径800mm,投料量达到60kg ，拉 制单晶直径200mm 。炉盖为椭圆封头形式，副室炉 门的开启与闭合采用机械联动机构，以便快速准确 地启闭炉门。上下轴的密封采用了国际上先进的密 封技术磁流体密封，密封效果好，旋转扭矩小，提 高了整机运行的可靠性。籽晶提升采用了稳定可靠， 性能优异的卷扬提升机构。 计算机测控单元选用研华AWS-822工业级一体化