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半导体制造工艺流程 半导体制造工艺流程 让我们和迈博瑞一起成长 让我们和迈博瑞一起成长 作者：Richard_Liu 作者：Richard Liu 半导体制造工艺流程——刻蚀 刻蚀 刻蚀（Etch），它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及 微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图 形化（pattern）处理的一种主要工艺。 *实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻 曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。 随着微制造工艺的发展。 *广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来 剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。 2 半导体制造工艺流程 刻蚀种类 ①干法刻蚀 利用等离子体将不要的材料去除（亚微米尺寸下刻蚀器件 的最主要方法）。 ②湿法刻蚀 利用腐蚀性液体将不要的材料去除。 显而易见，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。 湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀 材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到 刻蚀目的。 半导体制造工艺流程 干法刻蚀 优点：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好， 细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引 入污染，洁净度高。 缺点：成本高，设备复杂。 干法刻蚀方式：①溅射与离子束铣蚀 ②等离子刻蚀（Plasma Etching） ③③高压等离子刻蚀 ④高密度等离子体（HDP）刻蚀 ⑤反应离子刻蚀（RIE） 半导体制造工艺流程 湿法刻蚀 湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、 腐蚀。 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低 缺点是：钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征 尺寸；会产生大量的化学废液。 半导体制造工艺流程 同性刻蚀 半导体制造工艺流程 什么是Plasma • Plasma就是等离子体(台湾一般称为电浆), 由气体电离后产生 的正负带电离子以及分子, 原子和原子团组成. 只有强电场作用 下雪崩电离发生时, Plasma才会产生. •气体从常态到等离子体的转变, 也是从绝缘体到导体的转变. • Plasma 一些例子: 荧光灯, 闪电等. gas plasma e energy e e e 半导体制造工艺流程 半导体制造工艺流程 等离子刻蚀过程 半导体制造工艺流程——CMP 化学机械平坦化 化学机械平坦化 （Chemical-Mechanical Planarization, CMP）， 又称化学机械研磨（Chemical-Mechanical Polishing），是半导体 器件制造工艺中的一种技术，使用化学腐蚀及机械力对加工过 程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。 半导体制造工艺流程 CMP 半导体制造工艺流程 1、平