光电池伏安特性曲线和普通半导体的二极管相同.pptVIP

24硅光电池 光电池的结构特点 光电池的基本原理 光电池的基本特性 电路分析和计算 应用举例  光电池 光电池是根据光生伏特效应制成的将光能转换成 电能的一种器件。 ·PN结的光生伏特效应:当用适当波长的光照射 PN结时,由于内建场的作用(不加外电场),光 生电子拉向n区,光生空穴拉向p区,相当于PN 结上加一个正电压。 ·半导体内部产生电动势(光生电压);如将PN结 短路,则会出现电流(光生电流)。  光电池的结构特点 光电池核心部分是一个PN结,一般作成面积 大的薄片状,来接收更多的入射光。 在N型硅片上扩散P型杂质(如硼), 受光面是P型层 或在P型硅片上扩散N型杂质(如磷), 受光面是N型层  光电池的结构特点 受光面有二氧化硅抗反射膜,起到增透作用和 保护作用 ·上电极做成栅状,为了更多的光入射 ·由于光子入射深度有限,为使光照到PN结上, 实际使用的光电池制成薄P型或薄N型。  SO杭反射膜上电极(栅状) 上电极引线 扩散层 PN结 [如 S单晶 背电极引线 背电极  光电池等效电路  1光电池工作原理 硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面 积的PN结如图24.1所示。光电池的结构类似于光电 二极管区别在于硅光电池用的衬底材料的电阻率低 约为01~0.01g·cm而硅光电二极管衬底材料的电阻 率约为10009cm。上电极为栅状受光电极,下电极为 衬底铝电极。栅状电极能减少电极与光敏面的接触电 阻增加透光面积。其上还蒸镀抗反射膜,既减少反射 损失,又对光电池起保护作用。当光照射到PN结上时, 如果在两电极间串接负载电阻,则电路中便产生了电流, 如图242所示。  上电极(透明导电膜 抗反射模 下电极 图241硅光电池结构示意图