光电效应和光光电元件.pptVIP

第一节光电效应及光电元件 1905年德国物理学家爱 因斯坦用光量子学说解释 了光电发射效应,并为此 而获得1921年诺贝尔物理 学奖 用光照射某一物体,可 以看作物体受到一连串能 量为功f(或hν)的光子的 轰击,组成这物体的材料 吸收光子能量而发生相应 电效应的物理现象称为光 电效应。  光电效应的分类 第一类:在光线的作用下能使电子逸出物体表面的 现象称为外光电效应,基于外光电效应的光电元件有 光电管、光电倍增管、光电摄像管等。 第二类:在光线的作用下能使物体的电阻率改变的 现象称为内光电效应,也称为光电导效应。基于内光 电效应的光电元件有光敏电阻、光敏二极管、光敏晶 体管及光敏晶闸管等 第三类:在光线的作用下,物体产生一定方向电动 势的现象称为光生伏特效应,基于光生伏特效应的光 电元件有光电池等。 第一类光电元件属于玻璃真空管元件,第二、三类 属于半导体元件。  1)外光电效应 光电子 金属板 多· 1一阳极a2一阴极k 石英玻璃外壳 抽气管蒂 阳极引脚6-阴极引脚 a)光电管 7一金属表面8—光子 b外光电效应示意 9—光致发射电子  爱因斯坦光电方程 电子逸出金属表面的速度v可由 能量守恒定律确定: 式中 hf-W m电子质量 W金属光电阴极材料的逸出功; ∫—入射光的频率 由于逸出功与材料的性质有关,当材料选定 后,要使金属表面有电子逸出,入射光的频率f 应有一最低的限度值。当小于W时,即使光通 量很大,照射时间很长,也不可能有电子逸出, 这个最低限度的频率称为红限。  几种金属逸出功的近似值eV)电子 钠铝锌铜银铂 金 24640843147043635属 根据爱因斯坦的理论,当光子照射到物体上 时,它的能量可以被物体中的某个电子吸收。 电子吸收光子的能量矿f(有时也用hv表示)后, 能量增加。如果电子吸收的能量∫足够大,能 够克服脱离原子所需要的能量(即电离能量)I 和脱离物体表面时的逸出功W,电子就能够离 开金属表面,而脱逸出来,称为“光电子”。 光电子的逸出方向基本与金属板垂直。  光的频率、波长、光速之间的关系 不同物质的相应的红限波长是不同的。在光 电技术中,经常使用光的波长,而不是光的频 率。光的波长与光的频率f、光速c之间的关系 为入=cJf,c≈3×10°m/s。 当l大于W时,光通量越大,撞击到阴极的 光子数目也越多,逸出的电子数目也越多,光 电流就越大 波最 光速不变 波的理動  电磁波频谱(光是一种电磁波) 03压302002+ Xr毕 Gamma rays =a lonizing月 adiation 55 0.460.490.580.6006m300MHz 30kH 硬X射线软X射线|紫|蓝|绿|黄|橙|红丨「短波|中波|长波 10+pm 50Hz、60Hz X射线 10训∥飞外可见光红外线微波无线电广播中频加热电力传输 Y射线 0.76pm1000 10 105 近红外中红外远红外  光电管电路及特性 (9-18V) 金属阳极a和阴极k封装在 UVRI826 个石英玻璃壳内。当入射光照 射在阴极板上时,光子的能量传 Ei 递给阴极表面的电子,当电子获 RL 得的能量足够大时,电子就可以 克服金属表面对它的束缚而逸 出金属表面,形成电子发射。当 光电管阳极加上数十伏电压时,A 从阴极表面逸出的“光电子” 被具有正电压的阳极所吸引,在 光电管中形成电流简称为光电 流光电流正比于光电子数而 光电子数又正比于光照度。 低照度时的曲线 2一紫外线增强时的曲线  光电倍增管 外光电效应的典型元器件还有光电倍增管。它的灵敏 度比上述光电管高出几万倍以上,在星光下就可以产生 可观的电流,光通量在1014~10可m(流明)的很大变化 区间里,其输出电流均能保持线性。 因此光电倍增管可用于微光测量,如探测高能射线产 生的辉光等。但由于光电倍增管是玻璃真空器件,体积 大、易破碎,工作电压高达上千伏所以目前已逐渐被新 型半导体光敏元件所取代。 微弱 光照  紫外光电管 紫外线 当入射紫外线照射 在紫外管阴极板上 电子克服金属表面对它 的束缚而逸出金属表面, 形成电子发射。紫外管 多用于紫外线测量、火 焰监测等。可见光较难 引起光电子的发射。 火焰的辐射光中包 含了较大比例的紫外光, 有别于灯光,以及纯粹玻壳用对紫外线 的高温红外辐射 透光率较好的石 英材料制造