n阱CMOS芯片制作工艺设计 .ppt

题目：n阱CMOS; n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn取600cm2/V·s） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源 饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率fmax≥1GHz（迁移率μp取220cm2/V·s） ;设计步骤：;器件的结构参数设计; 跨导gm ;pMOS结构参数设计：;结构参数设计结果：;工艺流程：;一次光刻 形成n阱窗口;sio2;P衬底;P衬底;P衬底;P衬底;P衬底;P衬底;P衬底;P衬底;P衬底;P衬底;P衬底;P衬底;P衬底;工艺参数设计：