MIS结构中的隧道过程 .ppt

MIS结构中 的隧道过程;隧道效应是很普遍的围观现象，凡是有界面势垒的地方都有可能发生载流子的隧道运动。 常见的界面隧道效应有： 1 同质p+-n+结（隧道PN结）、 2 SB结（金属/半导体接触肖特基结)、 3 MIS结等。 此外，载流子穿越多晶晶界的输运、通过异质结界面的输运也需要考虑隧道效应。;6.1.1势垒贯穿现象;是粒子在x＜0和x＞a区域的波矢，ik3=ik2.当ak3足够大时，上式简化为：;6.1.2半导体中隧道过程;由于跃迁前后的能带结构不同，牵扯到跃迁前后的粒子有效质量不同，因此有必要建立适用于固体材料的隧道跃迁理论。;哈里森从独立粒子近似在上述基础上导出了电流密度表达式;如图，从硅的导带或者价带到金属的隧穿，离氧化硅的带边均比较远，绝缘层能隙中k与E的关系可用弗朗茨根据K.P微扰导出的关系：;6.2简并半导体衬底上的MIS隧道二极管;首先考虑p++衬底（a）~（e）,(a)表示平衡态，（b）表示在金属加正电压，电子从半导体价带隧穿绝缘层到达金属，隧穿电流表示为;加下来求解Pt，简单的将;（c）~（e）的情况是金属一侧加负电压， （c）中负压较小，隧道电流是从金属到半导体价带中为被占据的能态电子流 （d）中负偏压增加，金属费米能级附近的电子相应的经典隧道点是半导体的禁带，此时隧穿过程无法发生，因此将出现负的伏安特性（随偏置电压的升高，电流反