集成电路的基本制造工艺.docxVIP

第1章 集成电路的基本制造工艺 一般TTL集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别 ？为什么？ 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般 TTL集成电路的外延层电阻率高。 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复习思考题 22利用截锥体电阻公式，计算 TTL “与非”门输出管的res ，其图形如图题 22 所示。 提示： 先求截锥体的咼度 T T x x T epi jc mc epi BL up 然后利用公式： rci T ?ln b/a re2 Rsbl?^?1 WL a b Wbl 2 T In b/a rc3 ? WL a b rCS rC1 rC2 rC3 注意：在计算 W L时，应考虑横向扩散。 2.3伴随一个横向PNP器件产生两个寄生的 PNP晶体管，试问当横向PNP器件在4种可能的 偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大 ？ 答：当横向PNP管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在 20mA的电流负载下 ,VOL 0.4V，请在坐标纸上放大 500倍画出其版图。给出设计条件如下： 答：解题思路 ⑴由I °、 求有效发射区周长 LEeff ； ⑵由设计条件画图 先画发射区引线孔； 由孔四边各距Da画出发射区扩散孔； 由Da先画出基区扩散孔的三边; 由De B画出基区引线孔；