电力电子元器件发展现状精编.pptVIP

电力电子悬件的最新发畏现状 课程:电力电子器件 目录 电力电子器件的回顾 GBT模块的最新发展 MCT:MOS控制晶闸管 PEM:集成电力电子模块 静电感应晶体管S∏T和静电感应晶闸管STH 采用新型半导体材料制造的新型半导体器件 电力电子器件的回顾 电力电子器件又称作开关器件,相当于信号电路中的AD采样,称之为功 率采样,器件的工作过就是能量过渡过程,其可靠性决定了系统的可靠性 根据可控程度可以把电力电子器件分成三类 不可控器件——电力二极管(P。 wer Diode) 电力二极管在20世纪50年代初期就获得应用,当时也被称为半导体整流 器;它是以半导体PN结为基础,实现正向导通、反向截止的功能;电力二极 管是不可控器件,其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决 定的,因此目前电力二极管基本上已经被全控型器件所代替 半控型器件—第一代电力电子器件 上个世纪50年代,美国通用电气公司发明的硅晶闸管的问世,标志着电 力电子技术的开端。此后,晶闸管(SCR)的派生器件越来越多,到了70年 代 ■已经派生了快速晶闸管、逆导品闸管、双向晶闸管、不对称晶闸管等半 控型器件,功率越来越大,性能日益完善。但是由于晶闸管本身工作频 率较低(一般低于400Hz),大大限制了它的应用。此外,关断这些器 件,需要强迫换相电路,使得整体重量和体积增大、效率和可靠性降低。 全控型器件一一第二代电力电子器件 随着关键技术的突破以及需求的发展,早期的小功率、低频、半控 型器件发展到了现在的超大功率、高频、全控型器件。由于全控型器件 可以控制开通和关断,大大提高了开关控制的灵活性。自70年代后期以 来,可关断晶闸管(GT0)、电力晶体管(GTR或BJT)及其模块相继实用化 此后各种高频全控型器件不断问世,并得到迅速发展。这些器件主要有 等 众所周知一个理想的功率器件,应当具有下列理 想的静态和动态特性:在截止状态时能承受高电压在 导通状态时,具有大电流和很低的压降;在开关转换 时,具有短的开、关时间,能承受高电压变化率和电 流变化率的以及具有全控功能。 当前功率器件研究工作的重点主要集中在研究现有 功率器件的性能改进、MOS门控晶闸管以及采用新型 半导体材料制造新型的功率器件等。下面就对近年来 上述器件的最新发展加以综述 GBT模块的最新发展 1.高功率沟槽栅结构IGBT( Trench IGBT)模央 当今高功率IGBT模块中的IGBT元胞通常多采用沟槽栅结构IGBT。与平面 栅结构相比,沟槽栅结构通常采用1μ皿加工精度,提高了元胞密度。由于门 极沟的存在,使得导通电阻下降。为增加长基区厚度、提高器件耐压创造了 条件。所以近几年来出现的高耐压大电流IGBT器件均采用这种结构。该元件 的发射结采用了与GT0类似的平板压接结构,采用更高效的芯片两端散热方 式。避免了大电流IGBT模块内部大量的电极引出线,提高了可靠性和减小了 引线电感,缺点是芯片面积利用率下降。所以这种平板压接结构的高压大电 流IGBT模块也可望成为高功率高电压变流器的优选功率器件 2.新型大功率IGBT模块一电子注入增强栅晶体管IBGT( Injection Enhanced Gate Trangis tor 近年来,日本东芝公司开发了IEGT,与IGBT一样,它也分平面栅 和沟槽栅两种结构。IBGT兼有IGBT和GT0两者的某些优点:低的饱和 压降,宽的安全工作区(吸收回路容量仅为GT0的1/10左右),低的 栅极驱动功率(比T0低2个数量级)和较高的工作频率。加之该器件 采用了平板压接式电极引出结构,可望有较高的可靠性 IEGT之所以有前述这些优良的特性,是由于它利用了“电子注入 增强效应”。与IGBT相比,IBGT结构的主要特点是栅极长度Lg较长 N长基区近栅极侧的横向电阻值较高,因此从集电极注入N长基区的空 穴,不像在IGBT中那样,顺利地横向通过P区流入发射极,而是在该 域形成一层空穴积累层。为了保持该区域的电中性,发射极必须通 过N沟道向N长基区注入大量的电子。这样就使N长基区发射极侧也形 成了高浓度载流子积累,在N长基区中形成与T中类似的载流子 从而较好地解决了大电流、高耐压的矛盾。目前该器个 /1kA的水平 3.IGCT:集成门极换流晶闸管 IGcT( Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种用于巨 型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。IGT使变流装置在功 率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨 大进展,给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGC是将T0芯片与反 并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以 低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损